一、CSP组装底部填充工艺（论文文献综述）
甘禄铜,刘鑫,李勇[1]（2022）在《底部填充胶及其环氧树脂的技术现状与趋势分析》文中认为作为电子封装领域的关键辅助材料,底部填充胶有其特定的使用要求和性能特点。本文分析了底部填充胶在使用中存在的关键问题,介绍了底部填充胶用环氧树脂的研究进展,对底部填充胶的未来发展提出了展望。
段琪昱[2]（2021）在《基于关键元器件再利用的废旧手机线路板拆解技术研究》文中提出废旧智能手机废弃量巨大,导致废旧手机印刷线路板（Printed Circuit Board,PCB）数量随之增多,其结构和成分复杂,包含了多种元器件、金属和塑料以及多种有害成分。传统的处理方法一般是手工拆解、酸洗或焚烧等,但是这些方法易造成严重的环境污染,而且不能实现废旧线路板回收的高值化,只能简单地回收金属和非金属等材料。废旧手机线路板上含有很多有价值的芯片,很多芯片的寿命较长,在废旧手机废弃后线路板上的这些芯片仍具有良好性能,经过无损拆解后,通过可靠性检查可重新再利用,以实现废旧线路板回收价值最大化,也可以有助于后续材料的选择性分类处理。所以高效绿色的无损拆解线路板上芯片的工艺是十分必要的。本文通过拆解废旧智能手机,收集芯片信息,确定了中央处理器（Central Processing Unit,CPU）和只读存储器（Read-Only Member,ROM）两种具有回收价值的手机芯片;使用空气热对流加热方式和热传导方式进行拆解实验,对照不同因素对拆解效果的影响;对熔融焊点进行力学分析,计算并验证水平和垂直最小拆解力。分析并验证了在实际拆解中出现的底部填充胶对拆解过程中影响;根据实验结果优化了拆解时的升温及拆解机械力的方案;为了低污染的拆解工艺,分析对照了热拆解过程中释放的挥发性有机物（Volatile Organic Compounds,VOCs）浓度及污染物组分等。为实现绿色无损拆解工艺工业化和后续污染物处理提供了理论依据。对20款废旧智能手机进行手工拆解,汇集CPU和ROM的尺寸和重量等信息,确定了CPU和ROM均是球栅阵列封装（Ball Grid Array Package,BGA）方式。对芯片热拆解后的结果显示空气热对流加热拆解效果比热传导效果更好,加热效果稳定,芯片受热均匀。所以确定了空气热对流加热为本文研究的拆解方式。通过实验验证了当升温速率为3℃/s时拆解下的芯片效果较好,升温和拆解时间相对较短,拆解效率相应提高。当预热阶段温度设置为170℃保温90s时,芯片拆解效果最佳,形状完整。根据芯片拆解效果,显示有底部填充胶的芯片在拆解时比没有底部填充胶的芯片所需的温度更高,保温时间更长。且拆解BGA芯片时的实测温度（215℃-235℃）比栅格阵列封装（Land Grid Array,LGA）芯片的实测温度（200℃-215℃）略高。对拆解时熔融焊点力学分析的研究结果显示,不考虑底部填充胶的情形下水平方向的拆解力与焊点横截面积、焊点高度相关;垂直方向的拆解力与芯片自身重力、焊点与芯片接触面积等相关。根据拆解芯片的实际尺寸数据计算理论拆解力,经过验证实验后发现无底部填充胶时,水平方向拆解力更小;含有底部填充胶的则是垂直方向拆解力更小。选择三种常见的手机芯片底部填充胶进行测试,确定固化条件是温度155℃,时间8min和12min。将废旧芯片处理后以底部填充胶与线路板重新连接,在245℃条件下再进行热拆解,测量拆解面积为11*13mm2的芯片所用拉力在2.8～3.9N范围内。在拆解单个芯片过程中测量释放到环境中VOCs的累积浓度,选取215℃、225℃、235℃、245℃、255℃和265℃6个保温温度进行测试,检测出累积VOCs浓度的结果分别为0.4mg/m3、3.8mg/m3、4.7mg/m3、5.2mg/m3、5.4mg/m3、7.0mg/m3。在拆解时,线路板升温过程中VOCs的浓度上升速率缓慢,但是到达设定温度进行保温时,VOCs浓度上升速率持续快速增长,在停止加热后仍持续增长一段时间后开始向环境中扩散,检测到VOCs浓度开始缓慢降低。采集并检测不同温度下VOCs的组分及相应浓度,结果显示不同温度下的组分相似,但是浓度有差异,其中浓度较高的污染物组分是苯系物。
杨映晖[3]（2021）在《锂电池电极材料的微观结构调控和电化学性能优化》文中认为当今社会对锂电池的能量密度提出了越来越高的要求。当前商用的石墨负极和钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、镍钴锰酸锂等正极的理论比容量偏低,性能提升空间有限。为了进一步提高锂电池的能量密度,需研发具有更高比容量的电极材料,如硅基负极、锂金属负极和金属硫化物正极等。电极材料的微观结构可对其电化学性能产生极大的影响,因此,本文针对不同的电极材料,选取不同的方法对其进行微观结构调控和电化学性能优化。硅具有极高的理论比容量和较低的脱嵌锂电位,是公认的石墨负极替代材料。但是硅的电导率较低,且在脱嵌锂的过程中会发生巨大的体积变化,因此硅基负极的倍率性能和循环性能较差。为了优化硅基负极的电化学性能,本文采用化学脱合金法制备了微观结构可控的纳米多孔硅锗复合负极。将硅与锗复合能够显着提高硅基负极的电极反应速度。通过调节前驱体的成分,能够调控硅锗复合负极的微观结构。得到的Si12Ge8负极具有韧带和孔隙双连续的珊瑚状纳米多孔结构,其韧带尺寸均匀,直径约为50 nm,孔隙呈微一介孔连续的多级孔结构。该结构可以缩短锂离子的扩散距离,增加电极与电解液的接触面积和电荷转移位点,并且能够缓冲Si12Ge8负极在循环过程中的体积变化,提高其结构稳定性。综合以上优势,Si12Ge8负极表现出优秀的倍率性能和循环性能,在1000 mA g-1的电流密度下循环150圈后仍有1158mAhg-1的放电比容量。锂具有比硅更高的理论比容量,兼具最低的标准电极电位和金属中最小的密度,有望进一步提高锂电池的能量密度。但是锂自发的不均匀沉积会导致许多问题,例如“死锂”和锂枝晶的产生以及电池库伦效率的降低,锂枝晶还可能导致电池短路并引发火灾、爆炸等安全事故。为了调控锂的沉积行为和沉积形貌,本文制备了界面活性呈各向异性分布的三维集流体,诱导锂优先横向沉积和无枝晶沉积。在集流体的水平方向上修饰了电子和锂离子传导较慢的致密的ZnO层,降低水平方向上的界面活性。穿过ZnO层在集流体表面原位垂直生长低曲折度的Cu纳米片阵列,该阵列结构有利于电子和锂离子的快速传导,提高了集流体垂直方向上的界面活性,诱导锂优先在垂直排列的Cu纳米片表面横向沉积;同时,在Cu纳米片表面均匀修饰亲锂的ZnO颗粒,诱导锂均匀沉积。优先横向沉积的锂金属负极能够形成十分平整的沉积表面,具有优异的循环性能。当电流密度为0.5 mA cm-2、沉积容量为0.5 mAh cm-2时,锂金属对称电池能够稳定循环超过3000 h,锂金属半电池稳定循环1300圈后库伦效率仍在98%左右;当电流密度为2.0 mA cm-2、沉积容量为1.0 mAh cm-2时,锂金属对称电池仍能稳定循环超过2500 h。在正极材料体系中,镍硫化物因其高理论比容量引起了众多学者的兴趣。当前,镍硫化物多用固态硫化法、湿化学法和气相硫化法制备,制备周期长、能耗大且工艺复杂,湿化学法还需使用溶剂或有毒试剂,易造成污染。本文提出了无溶剂的微波等离子体反应法,制备微观结构可控的Ni3S2用作锂电池自支撑正极,制备过程仅耗时数分钟,且无需任何溶剂,绿色无污染。通过调节等离子体的成分能够对Ni3S2的微观结构进行调控,得到柱状、石林状或沙堆状的Ni3S2,其中,石林状Ni3S2具有较高的结构完整度和内部孔隙结构。高的结构完整度有利于发挥Ni3S2作为良导体的优势,而电极材料内部的孔隙结构能够促进电解液的渗透并缓冲其脱嵌锂过程中产生的体积变化,因此石林状Ni3S2表现出良好的倍率性能和循环性能。该方法也可实现铜硫化物的微观结构可控制备和铜磷化物的制备,具有一定的普适性和极大的应用潜力,能够为材料设计和绿色合成提供新思路。
汤姝莉,赵国良,张健,薛亚慧[4]（2021）在《倒装焊后清洗工艺及其对底部填充的影响》文中指出倒装焊封装是通过将整个芯片有源面进行管脚阵列排布并预制焊料凸点,通过倒装焊工艺进行互连,与传统引线键合技术相比具有更高的组装密度及信号传输速率,是实现电子产品小型化、轻量化、多功能化的关键技术之一。对于小尺寸微节距的倒装焊芯片来说,焊后清洗的难度相对更大,因此清洗技术也是影响倒装焊工艺的重要因素。针对不同清洗方式及参数的清洗效果进行对比,并研究助焊剂残留对底部填充效果的影响,以对倒装焊清洗技术进行优化。试验结果表明,利用预清洗（≥3 min）、正式清洗（≥3 min）、蒸汽漂洗（≥3 min）、真空干燥（≥4 min）的真空汽相清洗流程可充分洗净倒装焊芯片与基板细微间距中的助焊剂并且无清洗液残留,从而保证了底部填充胶的快速流动及完全固化,填充胶空洞率可达5%以下。
王瑾,石修瑀,王谦,蔡坚,贾松良[5]（2021）在《面向窄节距倒装互连的预成型底部填充技术》文中研究指明近年来随着电子产品的小型化发展,窄节距倒装芯片互连已经成为研究热点。传统的倒装芯片组装后底部填充技术（例如底部毛细填充）在用于窄节距互连时易产生孔洞,导致可靠性降低,因此产业界开发了面向窄节距倒装芯片互连的预成型底部填充技术,主要包括非流动底部填充和圆片级底部填充。介绍了这类新型底部填充技术的具体工艺及材料需求,并提出了目前其在大规模量产以及未来更窄节距应用中存在的问题及挑战,总结了目前产业界在提高量产生产效率、提升电互连的可靠性以及开发纳米级高热导率填料等方面提出的解决方案,分析了该技术未来的发展方向。
乐文凯[6]（2020）在《电-力耦合载荷下BGA微焊点力学性能和断裂行为及其尺寸效应的研究》文中研究说明球栅阵列（BGA）焊点以及由其衍生而来的μBGA和Tiny BGA等类似“鼓”状结构的微焊点一直广泛用于不同级别的电子封装结构中。微焊点是电子封装结构中非常重要但往往是最薄弱的部分,其失效常常引起电子产品和设备的功能损失甚至整体失效。在真实工况下,微焊点常承受电载荷、热载荷和力载荷的同时作用;随着电子产品不断小型化和多功能化,焊点尺寸持续减小,由此带来的超常规的电流、温度和力学载荷引发了一系列的可靠性问题。本文主要研究电-力耦合载荷作用下BGA结构微焊点的力学行为与性能规律、断裂行为和失效机理及其尺寸效应。首先研究不同加载速度对BGA微焊点剪切性能和断裂行为的影响;随后从实验表征、理论推导、有限元模拟三个方面全面研究了电流对BGA微焊点剪切性能和断裂行为的影响;深入探究了BGA微焊点界面显微组织、剪切性能及断裂行为的尺寸效应;研究了电-力耦合载荷下微焊点蠕变与断裂行为及其机理;在上述研究确认了电-力耦合下裂纹倾向于在钎料/金属间化合物（Solder/IMC）界面萌生和扩展的基础上,提出了计算电-力耦合下微焊点Solder/IMC界面裂纹断裂力学参数的方法;最后,采用相场法研究并再现了电-力耦合下微裂纹的萌生和扩展过程。不同剪切加载速度下的实验研究结果表明,电流作用并不改变BGA微焊点剪切性能随加载速度变化的趋势,微焊点的力学性能随电流密度的增大而降低;有限元模拟结果也证实,在微焊点钎料基体中靠近Solder/IMC界面处存在剪切应力主导的两个高耗散能密度区。此外,在高电流密度和低加载速度下,断裂主要发生在微焊点的Solder/IMC界面处,主要呈现脆性断裂模式,而在低电流密度和高加载速度下断裂易于发生在微焊点中的钎料基体内,以韧性断裂模式为主。实验测得的不同电流密度下BGA结构微焊点上的实际温度与有限元模拟结果高度一致。有限元模拟结果再现了BGA结构微焊点中的两类电流拥挤效应,即在Solder/IMC界面处和电子出入口处出现的电流拥挤现象,且电流拥挤程度随电流密度增大而加剧,造成焊点剪切性能显着降低。焊点剪切断口分析结果表明,电-力耦合载荷下微焊点的断裂呈现三种模式,即低电流密度下在靠近Solder/IMC界面附近钎料基体中发生的韧性断裂、中等电流密度下先在Solder/IMC界面起裂然后在钎料基体中裂纹扩展和失稳的韧-脆混合型断裂以及高电流密度下发生在Solder/IMC界面的脆性断裂。加载时中止实验研究结果表明,电-力耦合载荷下微焊点中的微裂纹易于在Solder/IMC界面萌生。不同尺寸BGA微焊点的界面IMC组织形态明显不同,其会影响焊点在电-力耦合载荷作用下的剪切性能。结合中止实验断口形貌分析发现,不同尺寸的焊点其断裂模式明显不同,即小尺寸焊点中裂纹在Solder/IMC界面中部或端部萌生,并先沿Solder/IMC界面后沿钎料基体的方式扩展,断裂主要是韧-脆混合型模式;而大尺寸焊点中裂纹在阴极或阳极侧Solder/IMC界面的端部萌生,并以Solder/IMC界面为主要路径扩展,断裂几乎全为脆性模式;值得指出的是,对于具有几何对称性的BGA微焊点,剪切载荷下当裂纹在焊点一侧起裂和扩展后,在焊点中的另一侧界面也会出现新裂纹的萌生和扩展,呈现出双裂纹同时扩展的断裂方式。电-力耦合载荷下BGA微焊点的蠕变性能的研究结果表明,电流的施加并不改变由剪切应力主导的蠕变应变-时间曲线的三阶段特征。电流通过改变原子和位错等的运动方式与速率提高稳态蠕变速率,加速蠕变变形过程,导致焊点蠕变寿命显着减小。对蠕变激活能和应力指数的综合分析发现,施加电流后主导稳态蠕变变形的机制从位错攀移变为体扩散。研究还发现,与Norton幂律蠕变法则相比,Garofalo双曲正弦蠕变本构关系更适合于描述电-力耦合载荷下BGA焊点的稳态蠕变过程。此外,根据不同电流密度下微焊点稳态蠕变的实验数据,尤其是考虑了电流密度在稳态蠕变本构中的贡献,提出了修正后的Garofalo双曲正弦蠕变本构方程。基于断裂力学、电学及热学理论提出了计算电-力耦合条件下微焊点界面微裂纹断裂力学参数（应力强度因子和应变能释放率）的方法。结合本文第二至五章的研究内容,计算表征了不同载荷条件下BGA微焊点中界面裂纹的断裂力学参数,并与实验获得的微焊点力学行为和性能评估结果进行了比较,模拟计算和实验结果能很好地自洽,表明所提出的方法具有较好的适用性和可靠性。最后,采用相场法研究了电-力耦合下微焊点中微裂纹萌生和扩展过程,并作为上面所述工作的补充和深入;尤其是成功地将电场的贡献加入到准静态裂纹相场模型的自由能密度函数中,从而拓宽了准静态裂纹相场模型的运用范围,使其可用于电-力耦合条件下。随后建立了含有不同尺寸、位置及空洞数量的相场模型,运用优化后的准静态裂纹相场方法实现了相应条件下微焊点中微裂纹萌生和扩展的动态过程。这是首次成功尝试对电-力耦合下微裂纹萌生和扩展动态过程的直观再现,为后续研究提供了重要参考。
金鑫[7]（2020）在《倒装芯片封装中底部填充技术的分析与优化》文中研究表明倒装芯片技术作为芯片封装中一种关键的互连方式广泛应用于各类高级封装中,但其结构的特殊性带来的焊点可靠性问题也一直存在。底部填充作为该互联方式中用来提高连接凸点可靠性的一种方法正在得到广泛的应用,但在工艺实施过程中,空洞和胶量失配一直是发生率较高的两个异常,这两个异常会造成填充质量以及产品可靠性的下降,因此对底部填充过程进行研究和优化,降低空洞和胶量失配的发生率对于提高产品的加工合格率、可靠性以及降低加工成本具有重要意义。本文通过对大量空洞失效样品的统计和分析发现,填充系统中过高的湿气含量是造成空洞不良的主要因素。为了有效抑制填充过程中的湿气侵入,本文进行了大量的实验对比和数据分析,总结出了切实有效的过程优化条件。在胶量失配问题的解决上,本文基于实际的填充要求和点胶过程建立了通用的点胶模型,然后根据建立的点胶模型推导出了一种新的胶量计算方法,该方法能够根据实际的点胶状态计算产品所需的胶量,提高了胶量配置的准确度。通过实验验证以及对生产数据的统计表明:采用本文优化后的作业条件和方法能够有效降低底部填充过程中空洞和胶量失配问题的发生率。根据统计数据显示,空洞发生率由原先的0.478%减小到0.317%,下降了33.8%,胶量失配的发生率由原先的0.28%减小到至0.16%,下降了43%,作业过程中胶水的浪费量下降17.8%。
李超[8]（2020）在《双相合金基板锡基焊点界面微结构演化及超声辅助焊接研究》文中提出在电子封装产业中,电子元器件中的焊点是确保电子产品正常使用与运转的关键条件。随着封装无铅化的大力推广,无铅钎料的应用越加广泛。封装焊点中最重要的两部分为钎料和基板,基板材料的选择也影响着焊点界面组织的种类。铜被认为是电子封装工业中作为母材的最佳选择,然而随着电子产品多样化,新型的基板材料受到了更多关注。本文选用了 Sn3.0Ag0.5Cu（SAC305）无铅钎料,制备了高质量的 Cu-50Co（50 wt.%Co）和 Cu-50Fe（50 wt.%Fe）两种双相合金基板,研究钎料与不同基板形成焊点的界面微结构与金属间化合物（IMC）的演化过程。在温度为290℃且不同时间的钎焊过程中,SAC305/Cu界面形成的化合物为 Cu3Sn 和Cu6Sn5,SAC305/Cu-50Co 界面生成（Co,Cu）Sn3 和（Cu,Co）6Sn5,SAC305/Cu-50Fe 界面则为（Cu,Fe）6Sn5和 FeSn2。值得注意的是 SAC305/Cu-50Co和SAC305/Cu-50Fe的界面IMC呈现奇特的锯齿状形貌,而SAC305/Cu界面化合物形貌表现为光滑连续。比较三种焊点界面化合物的晶粒形貌,SAC305/Cu界面化合物主要为呈球状的Cu6Sn5晶粒,其随钎焊时间增长逐渐熟化长大;SAC305/Cu-50Co界面（Cu,Co）6Sn5和（Co,Cu）Sn3化合物分别为细针状和棍棒状的细小晶粒,钎焊后期（Co,Cu）Sn3表现出棱柱状的堆叠形貌;SAC305/Cu-50Fe界面（Cu,Fe）6Sn5 晶粒为棱柱状,FeSn2呈细小颗粒状。SAC305/Cu、SAC305/Cu-50Fe和SAC305/Cu-50Co三种界面整体IMC的生长速率数值分别为0.2823 μm/min、0.1316 μm/min 和 2.2971 μm/min。设计了 SAC305/Cu、SAC305/Cu-50Co 和 SAC305/Cu-50Fe 三种焊点进行恒温150℃不同时长的时效实验。结果显示,在固态时效过程中,焊点界面化合物的成分与液态钎焊过程中成分一致,三种焊点界面IMC厚度均随着时效时间延长而增加。SAC305/Cu界面化合物形貌表现为连续致密,SAC305/Cu-50Co和Cu-50Fe界面化合物呈不平整的锯齿状,在固态时效后期,SAC305/Cu-50Fe界面出现大量孔洞导致界面IMC存在缺陷。计算后,固态时效过程中SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe三种焊点界面IMC的生长速率常数k数值分别为1.9×10-17 m2/s,6.87×10-17 m2/s 和 4.51×10-17m2/s。超声辅助焊接实验的结果表明,超声作用没有改变三种焊点界面化合物的成分,但界面IMC平均厚度有所下降,这归因于介入超声振动带来的能量传导至焊点界面反应处,在液-固冶金反应发生时引起空化和声流效应,细化了组织晶粒。此外,随着超声作用时间增加,SAC305/Cu界面处化合物厚度降低,其周围游离着破碎的Cu6Sn5晶粒;SAC305/Cu-50Co界面（Co,Cu）Sn3层形貌表现稳定,而（Cu,Co）6Sn5层分布散乱;SAC305/Cu-50Fe界面中化合物（Cu,Fe）6Sn5分布范围更为广泛,其厚度与FeSn2差异明显。在超声作用影响下,SAC305/Cu界面处大颗粒状的Cu6Sn5晶粒转变为细小球状和棱柱状的晶粒;SAC305/Cu-50Co界面处（Co,Cu）Sn3呈更明显的块状堆叠,（Cu,Co）6Sn5颗粒呈细针团状聚集;SAC305/Cu-50Fe界面中FeSn2变化不明显,而（Cu,Fe）6Sn5呈细长棍棒状,其晶粒长度有所增加。
傅志红,田有锵,武宁杰,郭鹏程,王洪[9]（2020）在《底部填充物对CSP-LED芯片抗跌落性能研究》文中认为为了提高芯片级封装发光二极管（CSP-LED）焊点疲劳寿命,利用有限元仿真软件ABAQUS模拟计算了CSP-LED芯片在跌落冲击载荷下焊点的塑性应变,并研究了裂纹拓展趋势。以焊点失效前跌落次数为指标,利用Coffin-Manson经验公式计算焊点寿命,研究了底部填充物对CSP-LED芯片在不同冲击载荷下焊点寿命的影响。结果表明,随着冲击载荷增大,焊点疲劳寿命减少,使用填充物能使芯片焊点寿命提高4～6倍,其影响通过跌落实验和仿真结果的对比得到了验证。
冯春[10]（2020）在《生物活性仿生支架的制备及其用于血管化骨修复的研究》文中进行了进一步梳理大块骨缺损的修复与再生一直是国际临床上的一个挑战和亟待解决的问题。骨组织修复过程中,前期血管的形成至关重要,血管能加强骨缺损处活性因子、细胞、营养元素的传输和物质的交换,从而促进成骨。概括来讲,治疗骨缺损的方法主要有自体骨移植、同种异体骨移植和人工骨修复材料植入。自体骨和异体骨植入物分别因为来源有限,存在疾病传播的风险等,其应用受到限制。而组织工程人工骨修复材料因其来源广,无疾病传播风险,化学组成、结构外形可控等优势在骨修复与再生领域得到广泛研究。其中,三维（3D）打印生物陶瓷支架因具有精确可控的孔结构和个性化定制等特点而被广泛应用在生物医学领域。但是,传统的3D打印生物陶瓷支架仍然存在一些不足。因此,本论文旨在通过调控骨修复材料的孔隙结构、孔隙率和比表面积,赋予材料前期诱导血管生成的能力,以及提高骨修复材料的力学性能,我们从仿生学的角度,结合多种方法制备出具有天然生物内部微观结构的骨修复仿生支架,探究其体内外成骨相关生物学效应,并着重探究了支架在体内外的血管生成能力以及仿生结构对支架力学强度和韧性的影响。主要研究内容与结论如下:1.受自然界中莲藕内部结构的启发,通过设计和制备新型的3D打印喷嘴以及具有合适流变学和力学特性的3D打印浆料,制备出每个基元都具有平行多通道结构的仿生莲藕3D打印支架。通过这个全新的3D打印策略,能够灵活调控仿生莲藕支架的理化性质,不仅可以制备出镁黄长石（AKT,Ca2Mg Si2O7）、Zr O2、Al2O3、Fe、Alginate等不同材质的仿生莲藕支架,还可以调控仿生莲藕支架的宏观外形、基元尺寸、通道数目和尺寸、孔隙率、比表面积以及机械性能等。制备的仿生莲藕AKT生物陶瓷支架其孔隙率最高可达80%,其力学强度可以达到30MPa以上,能够满足非承重骨组织修复的需要。体外生物学分析表明,与传统的3D打印支架（TSSP支架）相比,仿生莲藕支架能够更好地促进体外r BMSCs的粘附、传输和增殖,其对体外细胞生物活性的促进作用和负载的细胞数量与仿生莲藕支架的通道数目成正相关性。另外,支架植入兔子颅骨缺损修复实验结果表明,血管组织成功长入仿生莲藕支架的孔道内部,支架内部比传统支架长入更多的骨组织,骨缺损修复效果更好。由此可见,这种平行多通道结构能够促进支架与骨缺损微环境之间的营养传输和物质交换,从而大大促进支架内部骨组织的再生,同时,实验验证这种仿生莲藕结构能够诱导体内血管形成,进而促进体内骨缺损的修复。2.在第一部分3D打印仿生莲藕支架的研究基础上,我们利用单通道3D打印喷嘴和水热合成法制备出具有表面微纳米结构和空心管结构的生物陶瓷支架（M-C-S支架）。微观形貌和组成分析结果显示,M-C-S支架的表面和中空通道内壁均沉积了一层磷酸钙为主的生物矿化层;另外,显微图像显示生物矿化层由粒径约80～100 nm的微纳米颗粒构成。体外生物学实验表明,M-C-S支架的微纳米结构和中空管结构能够协同促进体外r BMSCs的生物活性,仿生支架的中空管结构能够为细胞提供更大的空间,比传统的3D支架负载更多的细胞。将M-C-S支架植入兔子股骨缺损部位12周后,Micro-CT立体图像和硬组织切片V-G染色的结果都表明有更多的新生骨在M-C-S支架的孔隙和管道内部生成。组织形态学定量分析结果进一步显示,M-C-S支架表面微纳米结构和中空管结构表现出对体内成骨的协同促进作用。这项研究中制备的M-C-S支架具有比传统支架更好的体内成骨活性,生物矿化层的微纳结构和中空管通道在促进骨再生方面表现出协同效应,说明这种支架在骨组织工程中具有潜在应用前景。3.基于以上两部分对3D打印生物陶瓷支架的研究,针对传统的3D打印生物陶瓷支架质地脆,其塑性跟人体骨不匹配的缺点,本研究在贝壳珍珠层和皮质骨层状结构的启发下,通过模拟生物矿化过程原位结晶羟基磷灰石（HA）并结合真空抽滤自组装技术,构建了双仿生生物体系,成功地制备出具有皮质骨的多层卷筒结构和贝壳“砖泥”多层结构的双仿生羟基磷灰石支架。在设计新材料时,我们考虑化学组成和微观结构两个因素。首先,在支架的材料组成上我们选择同样具有生物相容性和较好生物活性的氧化石墨烯（GO）和壳聚糖（CTS）作为原料,同时引入HA晶体颗粒;在微观结构方面,以GO作为分层模板,通过真空抽滤自组装的方法制备出具有微观“砖泥”结构的生物膜,将直接添加HA颗粒（非原位合成HA法）制备的生物膜以及自然干燥法制备的生物膜作为对照,然后模拟皮质骨的多层卷筒结构将2D的生物膜制作成3D的支架。制备的仿生贝壳膜具有层间距小于200 nm的规整有序的层状结构,双仿生支架呈现层厚均小于100μm的规整卷筒螺旋结构。这种双仿生支架具有与皮质骨相似的抗压强度（98.4 MPa）、抗弯强度（171.6 MPa）和韧性（1.1 MJ/m3）。同时,体外实验结果表明,相比于其他对照组,这种仿生贝壳膜能够促进r BMSCs和HUVECs的粘附和增殖。同时还能够促进体外成骨相关基因（BSP,OCN,Runx2和OPN）和成血管相关基因（e Nos,HIF-1α,VEGF和KDR）的表达。双仿生支架分别植入大鼠股骨缺损和兔子的股骨缺损8周,结果证明,这种双仿生支架相比于对照组表现出更好的体内成血管活性和成骨性能。本研究中,通过构建双仿生系统,实现了生物材料的强度和韧性方面的显着提升。并且制备的双仿生支架具有接近人体骨的力学强度和韧性,以及良好的成血管、成骨性能,这种兼具良好生物活性和机械性能的骨修复材料有望用于承重部位骨缺损修复。综上所述,本论文针对如何提高3D打印生物陶瓷骨修复支架的生物活性和机械性能这两个突出问题,师法自然,从自然界中的天然生物结构寻找灵感,我们分别通过对仿生莲藕平行多通道结构的构建、生物矿化层微纳米结构的表面改性、贝壳“砖泥”多层结构和皮质骨卷筒结构的双仿生系统的制备,实现骨修复材料较为优良的力学强度和韧性,以及良好的体内成血管和成骨活性,这为承重骨修复和大块骨修复提供了可行性的新策略。
二、CSP组装底部填充工艺（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、CSP组装底部填充工艺（论文提纲范文）
（1）底部填充胶及其环氧树脂的技术现状与趋势分析（论文提纲范文）
| 0前言 |
| 1 底部填充胶的作用 |
| 2 底部填充胶的性能要求 |
| 3 底部填充胶关键问题分析 |
| 3.1 胶粘剂在固化中收缩产生的应力问题 |
| 3.2 胶粘剂的线胀系数与基材的线胀系数匹配问题 |
| 3.3 胶粘剂纯度控制和质量稳定性问题 |
| 4 底部填充胶研究进展 |
| 4.1 高纯低氯环氧树脂 |
| 4.2 萘型环氧树脂 |
| 4.3 联苯型环氧树脂 |
| 4.4 邻甲酚醛环氧树脂 |
| 4.5 双环戊二烯苯酚环氧树脂 |
| 5 展望 |
（2）基于关键元器件再利用的废旧手机线路板拆解技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 .研究背景 |
| 1.2 国内外废旧线路板拆解方法 |
| 1.2.1 热力解焊 |
| 1.2.2 机械力拆解 |
| 1.3 课题来源 |
| 1.4 研究的意义及内容 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 技术路线 |
| 1.4.3 研究意义 |
| 第二章 拆解实验装置及原料预处理 |
| 2.1 实验设备及操作 |
| 2.1.1 空气热对流加热 |
| 2.1.2 热传导加热 |
| 2.2 实验材料预处理 |
| 2.2.1 手机线路板 |
| 2.2.2 CPU |
| 2.2.3 ROM |
| 2.2.4 芯片价值及确定目标芯片 |
| 2.3 芯片结构及特性 |
| 2.3.1 BGA封装及特征 |
| 2.3.2 LGA封装及特征 |
| 2.3.3 针对芯片特性的拆解要点 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 拆解实验及结果讨论 |
| 3.1 空气热对流拆解实验结果与讨论 |
| 3.1.1 针对无底部填充胶芯片的空气热对流法实验结果讨论 |
| 3.1.2 针对有无底部填充胶芯片的拆解过程对照实验结果讨论 |
| 3.1.3 对照BGA和 LGA芯片的拆解温度和保温时间 |
| 3.2 无铅焊锡炉温度设定及实验结果 |
| 3.3 不同加热方式拆解过程的对照 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 拆解过程中的力学分析 |
| 4.1 理论拆解力分析 |
| 4.1.1 水平方向拆解拆解力 |
| 4.1.2 垂直方向拆解拆解力 |
| 4.2 验证实验及结果讨论 |
| 4.2.1 实验装置及设备 |
| 4.2.2 理论计算及验证结果讨论 |
| 4.2.3 实际元件拆除力计算 |
| 4.3 拆解过程中底部填充胶的影响 |
| 4.3.1 实验材料 |
| 4.3.2 底部填充胶在芯片拆解中的作用力测试 |
| 4.4 拆解方案 |
| 4.4.1 元器件单独拆除分析 |
| 4.4.2 多元件同时拆除分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 不同温度下拆解过程对空气的污染影响 |
| 5.1 温度对产生VOCs的影响 |
| 5.1.1 污染源处累积VOCs浓度随温度变化的趋势 |
| 5.1.2 不同温度下污染源瞬时VOCs浓度变化 |
| 5.2 拆解环境中废气污染物组分对照 |
| 5.2.1 拆解过程中废气样品的采集 |
| 5.2.2 废气样品组分对照 |
| 5.3 废旧线路板热裂解实验结果对照 |
| 5.3.1 不同温度下线路板热裂解污染物质对照 |
| 5.3.2 不同温度下填充胶热裂解污染物质对照 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 研究成果及发表的学术论文 |
| 致谢 |
（3）锂电池电极材料的微观结构调控和电化学性能优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 本文的主要创新点 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 锂电池电极材料 |
| 1.2.1 锂离子电池负极材料 |
| 1.2.2 锂金属负极 |
| 1.2.3 锂电池正极材料 |
| 1.3 电极材料的微观结构对其电化学性能的影响 |
| 1.3.1 锂离子电池电极材料的微观结构对其电化学性能的影响 |
| 1.3.2 锂金属负极的沉积形貌对其电化学性能的影响 |
| 1.4 锂离子电池电极材料的微观结构可控制备方法 |
| 1.4.1 模板法 |
| 1.4.2 气相沉积法 |
| 1.4.3 自组装法 |
| 1.4.4 脱合金法 |
| 1.4.5 微波等离子体辅助制备 |
| 1.5 锂金属负极的沉积形貌调控方法 |
| 1.5.1 界面调控 |
| 1.5.2 结构调控 |
| 1.5.3 沉积位点调控 |
| 1.5.4外部手段调控 |
| 1.6 本文选题依据及主要研究内容 |
| 1.6.1 本文选题依据 |
| 1.6.2 本文的主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 实验部分 |
| 2.1 实验材料与实验仪器 |
| 2.2 材料微观结构分析与电化学性能测试 |
| 2.2.1 材料微观结构测试分析方法 |
| 2.2.2 电化学性能测试方法 |
| 第3章 纳米多孔硅锗复合负极的微观结构调控和储锂性能优化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 化学脱合金法制备硅锗复合负极 |
| 3.3 硅锗复合负极的微观结构调控 |
| 3.3.1 脱合金产物的结构演变过程和机理分析 |
| 3.3.2 前驱体成分对硅锗复合负极微观结构的影响 |
| 3.4 硅锗复合负极的微观结构对其储锂性能的影响及机理分析 |
| 3.4.1 不同微观结构的硅锗复合负极的储锂性能比较 |
| 3.4.2 Si_(12)Ge_8的微观结构表征 |
| 3.4.3 Si_(12)Ge_8负极的储锂机理分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 各向异性分布的界面活性诱导锂金属负极优先横向沉积 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 界面活性呈各向异性分布的三维集流体的制备 |
| 4.3 界面活性呈各向异性分布的三维集流体的微观结构表征 |
| 4.3.1 三维集流体制备过程中的物相演变 |
| 4.3.2 三维集流体的微观结构和物相分布 |
| 4.4 各向异性分布的界面活性调控锂的沉积/剥离行为 |
| 4.4.1 ZnO+Cu_(3D)集流体内部界面活性的各向异性分布 |
| 4.4.2 锂在不同集流体上的沉积形貌比较 |
| 4.4.3 锂在不同集流体上的剥离形貌比较 |
| 4.5 优先横向沉积的锂金属负极的电化学性能 |
| 4.5.1 优先横向沉积的锂金属负极的库伦效率 |
| 4.5.2 优先横向沉积的锂金属负极的循环性能 |
| 4.5.3 优先横向沉积的锂金属负极的全电池性能 |
| 4.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 镍硫化物正极的微观结构调控和储锂性能优化 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 无溶剂的微波等离子体反应制备镍硫化物正极 |
| 5.3 微波等离子体反应机理及镍硫化物的微观结构调控过程 |
| 5.3.1 微波等离子体反应机理分析 |
| 5.3.2 C-NS的微观结构表征和形成机制分析 |
| 5.3.3 SF-NS的微观结构表征和形成机制分析 |
| 5.3.4 SP-NS的微观结构表征和形成机制分析 |
| 5.3.5 微波等离子体反应调控材料微观结构的普适性分析 |
| 5.4 不同微观结构的镍硫化物正极的储锂性能比较及机理分析 |
| 5.4.1 C-NS正极、SF-NS正极和SP-NS正极的电化学反应分析 |
| 5.4.2 C-NS正极、SF-NS正极和SP-NS正极的储锂性能比较 |
| 5.4.3 C-NS正极、SF-NS正极和SP-NS正极的储锂机理分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 |
| 外文论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（4）倒装焊后清洗工艺及其对底部填充的影响（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 试验材料及方法 |
| 3 试验结果与讨论 |
| 3.1 不同清洗方式及参数的影响 |
| 3.2 清洗效果对底部填充的影响 |
| 4 结论 |
（5）面向窄节距倒装互连的预成型底部填充技术（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 预成型底部填充技术 |
| 2.1 非流动底部填充 |
| 2.2 圆片级底部填充 |
| 3 预成型底部填充技术的最新进展 |
| 3.1 提高量产生产效率 |
| 3.2 提高电互连可靠性 |
| 3.3 开发纳米级高热导率填料 |
| 4 结论 |
（6）电-力耦合载荷下BGA微焊点力学性能和断裂行为及其尺寸效应的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景与意义 |
| 1.2 电子封装概述及简史 |
| 1.2.1 电子封装概述 |
| 1.2.2 电子封装简史 |
| 1.3 微焊点力学行为与性能的研究概述 |
| 1.3.1 拉伸性能的研究概述 |
| 1.3.2 剪切性能的研究概述 |
| 1.3.3 蠕变行为的研究概述 |
| 1.3.4 疲劳行为的研究概述 |
| 1.4 微焊点中尺寸效应相关问题的研究概述 |
| 1.4.1 界面反应的尺寸效应 |
| 1.4.2 力学性能的尺寸效应 |
| 1.4.3 断裂行为的尺寸效应 |
| 1.5 微焊点中的电迁移 |
| 1.5.1 电迁移的研究简史 |
| 1.5.2 电迁移物理 |
| 1.5.3 电迁移对焊点组织、结构和性能的影响 |
| 1.6 本文的研究目的和研究内容 |
| 第二章 电-力耦合下加载速度对BGA结构Cu/Sn–3.0Ag–0.5Cu/Cu焊点的剪切性能与断裂行为的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验方法和有限元模型及参数 |
| 2.2.1 实验方法 |
| 2.2.2 有限元模型及参数 |
| 2.3 实验和模拟计算结果及分析 |
| 2.3.1 电-力耦合下不同加载速度下焊点的剪切强度 |
| 2.3.2 微焊点断面形貌和成分分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 电-力耦合下电流密度对BGA结构Cu/Sn–3.0Ag–0.5Cu/Cu焊点的剪切性能与断裂行为的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法和有限元模型及参数 |
| 3.2.1 实验方法 |
| 3.2.2 有限元模型及材料参数 |
| 3.3 实验和模拟计算结果及分析 |
| 3.3.1 焊点焦耳热效应的表征 |
| 3.3.2 焊点的剪切断裂强度 |
| 3.3.3 电-力耦合下微焊点的损伤分析 |
| 3.3.4 断口形貌与断裂机理分析 |
| 3.3.5 电-力耦合下微裂纹的扩展路径 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 电-力耦合下BGA结构Cu/Sn–3.0Ag–0.5Cu/Cu焊点的剪切性能与断裂行为的尺寸效应 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法和有限元模型及参数 |
| 4.2.1 实验方法 |
| 4.2.2 有限元模型及参数 |
| 4.3 实验和模拟计算结果及分析 |
| 4.3.1 焊点高度对焊点中IMC形貌和厚度的影响 |
| 4.3.2 焊点高度对剪切性能的影响 |
| 4.3.3 电-力耦合下微焊点的断裂行为及尺寸效应 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 电-力耦合下BGA结构Cu/Sn–3.0Ag–0.5Cu/Cu焊点的蠕变与断裂行为 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 实验结果 |
| 5.3.1 不同剪切载荷下微焊点的蠕变 |
| 5.3.2 不同温度下微焊点的蠕变 |
| 5.3.3 电-力耦合下微焊点的蠕变断裂形貌 |
| 5.4 讨论与分析 |
| 5.4.1 电流载荷对稳态蠕变速率的影响 |
| 5.4.2 电流载荷对蠕变本构方程的影响 |
| 5.4.3 电流载荷对蠕变断裂模式的影响 |
| 5.4.4 电流密度对微焊点蠕变行为的影响 |
| 5.4.5 修正的Garofalo双曲正弦模型 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 电-力耦合下微焊点中solder/IMC界面裂纹的断裂力学研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 断裂力学理论推导 |
| 6.3 有限元模型及材料参数 |
| 6.4 计算结果与讨论 |
| 6.4.1 加载速度对界面断裂驱动力的影响 |
| 6.4.2 电流密度对界面断裂驱动力的影响 |
| 6.4.3 焊点高度对界面断裂驱动力的影响 |
| 6.4.4 恒定应力对界面断裂驱动力的影响 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 电-力耦合下微焊点中微裂纹萌生和扩展过程的相场模拟计算 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 准静态裂纹的相场模型 |
| 7.2.1 准静态裂纹表面的相场描述 |
| 7.2.2 构建裂纹相场模型中各组分的自由能泛函 |
| 7.2.3 裂纹相场模型的控制方程 |
| 7.3 相场控制方程的求解 |
| 7.4 相场模拟计算与结果分析 |
| 7.4.1 电流对微裂纹萌生和扩展的影响 |
| 7.4.2 空洞对微裂纹萌生和扩展的影响 |
| 7.4.3 多空洞下微裂纹的萌生和扩展 |
| 7.5 本章小结 |
| 全文总结 |
| 参考文献 |
| 博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）倒装芯片封装中底部填充技术的分析与优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 研究内容和设计指标 |
| 1.4 本论文的组织结构 |
| 第二章 底部填充工艺 |
| 2.1 底部填充工艺的介绍 |
| 2.2 底部填充工艺的流程 |
| 2.3 底部填充材料 |
| 2.4 填充性能的评估方法 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 空洞和胶量失配问题分析 |
| 3.1 底部填充中的异常 |
| 3.2 空洞问题的分析 |
| 3.3 胶量失配问题的分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 针对空洞和胶量失配问题的优化 |
| 4.1 作业流程的优化 |
| 4.2 预烘烤条件的优化 |
| 4.3 产品贮存条件的优化 |
| 4.4 预热条件的优化 |
| 4.5 胶量计算方法的优化 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 针对底部填充过程优化结果的验证与分析 |
| 5.1 针对空洞问题优化条件的验证 |
| 5.2 针对的胶量计算方法的验证 |
| 5.3 验证结果总结 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）双相合金基板锡基焊点界面微结构演化及超声辅助焊接研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 电子封装技术发展简介 |
| 1.2 无铅钎料发展历程 |
| 1.2.1 传统SnPb钎料的应用 |
| 1.2.2 无铅钎料的研究现状 |
| 1.3 无铅钎焊界面反应研究现状 |
| 1.3.1 Sn基钎料与Cu基板间的界面反应 |
| 1.3.2 Sn基钎料与合金基板间的界面反应 |
| 1.4 超声辅助焊接研究现状 |
| 1.5 本文研究内容及意义 |
| 第2章 实验材料与内容 |
| 2.1 实验材料的准备 |
| 2.1.1 钎料和Cu基板的准备 |
| 2.1.2 Cu-50Co和Cu-50Fe双相合金基板的制备 |
| 2.2 实验方法及内容 |
| 2.2.1 钎焊焊点制备 |
| 2.2.2 焊点的固态时效实验 |
| 2.2.3 超声辅助钎焊实验 |
| 2.3 实验分析方法 |
| 第3章 钎焊过程中SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe界面IMC的生长研究 |
| 3.1 SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe界面IMC的生长及演化 |
| 3.2 钎焊过程中界面IMC的生长动力学研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe焊点在时效过程中界面IMC的演变 |
| 4.1 SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe界面微观结构形貌分析 |
| 4.2 时效过程中界面IMC的生长动力学研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 基于超声辅助钎焊SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe界面反应研究 |
| 5.1 超声作用下SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe界面IMC的生长 |
| 5.2 超声作用下SAC305/Cu,Cu-50Co和Cu-50Fe界面IMC的晶粒形貌 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 进一步工作的设想 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（9）底部填充物对CSP-LED芯片抗跌落性能研究（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 抗跌落冲击性能数值模拟 |
| 2 数值模拟结果分析 |
| 3 实验对比 |
| 4 结 论 |
（10）生物活性仿生支架的制备及其用于血管化骨修复的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 骨组织及骨修复研究概述 |
| 1.1.1 骨组织 |
| 1.1.2 骨修复的过程 |
| 1.2 骨修复材料的研究进展 |
| 1.2.1 血管化骨修复材料的研究进展 |
| 1.2.2 生物陶瓷骨修复材料的研究进展 |
| 1.3 仿生材料的研究进展 |
| 1.3.1 仿生学 |
| 1.3.2 仿生材料学 |
| 1.3.3 仿生材料概况 |
| 1.3.4 仿生骨修复材料 |
| 1.4 课题提出及主要研究内容 |
| 1.4.1 课题提出 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 第2章 仿生莲藕3D打印支架用于血管化大块骨修复的研究 |
| 2.1 改进的3D打印技术对仿生莲藕支架理化性能的调控 |
| 2.1.1 改进的3D打印技术 |
| 2.1.2 改进的3D打印技术对支架理化性能的调控 |
| 2.2 AKT仿生莲藕多通道支架的制备与表征 |
| 2.2.1 3D打印新技术制备AKT仿生莲藕支架 |
| 2.2.2 AKT仿生莲藕支架的表征 |
| 2.3 AKT仿生莲藕支架的孔隙率、比表面积以及力学测试 |
| 2.3.1 实验方法 |
| 2.3.2 结果与讨论 |
| 2.4 AKT仿生莲藕支架对体外间充质干细胞的粘附和增殖的影响 |
| 2.4.1 实验方法 |
| 2.4.2 结果与讨论 |
| 2.5 AKT仿生莲藕支架体内成血管、成骨活性 |
| 2.5.1 仿生莲藕支架在大鼠肌袋中的成血管性能研究 |
| 2.5.2 仿生莲藕支架在兔子颅骨大块骨缺损中的成骨性能研究 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 生物矿化微纳米结构与中空管结构协同骨修复的研究 |
| 3.1 生物矿化层修饰的中空管支架的制备与表征 |
| 3.1.1 化学试剂以及实验仪器 |
| 3.1.2 生物矿化层修饰的中空管支架的制备 |
| 3.1.3 生物矿化层修饰的中空管支架的表征 |
| 3.2 生物矿化层微纳米结构和中空管结构对体外细胞活性的协同作用 |
| 3.2.1 实验方法 |
| 3.2.2 结果与讨论 |
| 3.3 生物矿化层微纳米结构和中空管结构对体内成骨的协同作用 |
| 3.3.1 实验方法 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 双仿生高强韧羟基磷灰石基支架用于血管化骨修复的研究 |
| 4.1 羟基磷灰石基双仿生支架的制备与表征 |
| 4.1.1 羟基磷灰石基双仿生支架的制备 |
| 4.1.2 羟基磷灰石基双仿生支架的表征 |
| 4.2 羟基磷灰石基双仿生支架机械性能的表征 |
| 4.2.1 实验方法 |
| 4.2.2 结果与讨论 |
| 4.3 羟基磷灰石基双仿生支架的降解性分析 |
| 4.3.1 实验方法 |
| 4.3.2 结果与讨论 |
| 4.4 羟基磷灰石基双仿生支架的体外成骨活性的研究 |
| 4.4.1 羟基磷灰石基双仿生支架对体外间充质干细胞的粘附与增殖 |
| 4.4.2 间充质干细胞成骨分化相关基因的活性表达 |
| 4.4.3 结果与讨论 |
| 4.5 羟基磷灰石基双仿生支架的体外成血管活性的研究 |
| 4.5.1 羟基磷灰石基双仿生支架对体外内皮细胞的粘附与增殖的影响 |
| 4.5.2 内皮细胞成血管相关基因的活性表达 |
| 4.5.3 结果与讨论 |
| 4.6 羟基磷灰石基双仿生支架体内成血管、成骨活性的研究 |
| 4.6.1 大鼠股骨缺损体内血管化骨修复的研究 |
| 4.6.2 兔子股骨缺损体内血管化骨修复的研究 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 全文总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
四、CSP组装底部填充工艺（论文参考文献）
- [1]底部填充胶及其环氧树脂的技术现状与趋势分析[J]. 甘禄铜,刘鑫,李勇. 中国胶粘剂, 2022(01)
- [2]基于关键元器件再利用的废旧手机线路板拆解技术研究[D]. 段琪昱. 上海第二工业大学, 2021(08)
- [3]锂电池电极材料的微观结构调控和电化学性能优化[D]. 杨映晖. 山东大学, 2021(10)
- [4]倒装焊后清洗工艺及其对底部填充的影响[J]. 汤姝莉,赵国良,张健,薛亚慧. 电子与封装, 2021(02)
- [5]面向窄节距倒装互连的预成型底部填充技术[J]. 王瑾,石修瑀,王谦,蔡坚,贾松良. 电子与封装, 2021(01)
- [6]电-力耦合载荷下BGA微焊点力学性能和断裂行为及其尺寸效应的研究[D]. 乐文凯. 华南理工大学, 2020(05)
- [7]倒装芯片封装中底部填充技术的分析与优化[D]. 金鑫. 东南大学, 2020(01)
- [8]双相合金基板锡基焊点界面微结构演化及超声辅助焊接研究[D]. 李超. 南昌大学, 2020(01)
- [9]底部填充物对CSP-LED芯片抗跌落性能研究[J]. 傅志红,田有锵,武宁杰,郭鹏程,王洪. 微电子学, 2020(05)
- [10]生物活性仿生支架的制备及其用于血管化骨修复的研究[D]. 冯春. 中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所), 2020