一、电子封装可靠性研究（论文文献综述）
闵球[1]（2021）在《三维封装集成电路中的电热特性分析研究》文中研究表明随着半导体工艺特征尺寸进入纳米量级,进一步减小晶体管沟道长度越发困难。为了继续提升集成电路性能,半导体产业界一方面通过鳍式场效应管（FinFET）等新型晶体管工艺来继续减小特征尺寸,另一方面则通过三维封装集成（3-D integration）等新型封装技术来减小全局互连长度从而提升电路整体性能。这两方面的技术可能出现在同一种集成电路产品中,本文将其简称为三维封装集成电路（3-D IC）。集成电路的电热性能之间存在相互作用,即电路工作过程中产生的功耗会引起温度上升,温变材料参数的相应改变又反过来影响电性能。在3-D IC中,电路的温度上升更为显着,电热耦合效应对性能的影响更加难以忽略。具体而言,在器件层面,电热耦合效应会通过热载流子注入等机制带来晶体管阈值电压漂移等可靠性问题;在封装层面,电热耦合效应会影响3-D IC中的关键互连结构——硅通孔（TSV）的电热性能,并进一步带来信号完整性、电磁串扰等问题。为了准确预测3-D IC的电热性能以实现精确设计,需要深入研究其中关键结构的电热耦合机理。本文对3-D IC中的硅通孔和FinFET器件分别进行了电热耦合建模与仿真,并对电热性能和可靠性等指标进行了深入分析研究。主要研究内容和成果包括以下几个方面:（一）为快速获取硅通孔阵列中的三维瞬态热分布,本文提出了硅通孔阵列的三维瞬态等效热路模型,该模型考虑了热传递的多方向性、热导率的温变特性,可用于不同热边界条件（恒温、对流）,不同阵列规模大小,不同排列方式的硅通孔阵列的三维瞬态热仿真。与商业软件对比仿真结果表明,在满足毕渥数足够小的前提下,该模型可大幅减少硅通孔阵列的瞬态热仿真时长并且仿真结果精度良好。（二）为探究硅通孔MOS效应的温变特性及其在电热耦合过程中对硅通孔电热性能的影响,本文首先对硅通孔MOS效应的温变特性进行了精细建模,仿真获得的不同温度下的MOS电容值与文献中的测量结果吻合良好。随后基于等效电路和等效热路模型实现了同轴硅通孔的瞬态电热耦合仿真,并提出了利用常见电路求解器进行电热耦合仿真的实现方法。最后通过对比不同情形下的电热耦合仿真结果,本文研究表明MOS效应的温变特性会引起同轴硅通孔S参数的显着变化。（三）为分析FinFET有源器件在电路场景下的电热可靠性,本文以九阶环形振荡器为例,进行版图设计并基于版图构造了电路的三维结构,通过对版图进行电路仿真和对三维结构进行瞬态热传导仿真,获得了整个电路结构的瞬态电热响应。基于上述电热响应,本文成功预测了电路级电热效应作用下FinFET晶体管由热载流子注入机制引起的阈值电压漂移的时变过程,并进一步探究了电路的不同电热参数带来的影响。所得结论对实际电路设计具有较好的指导意义。
陈志文,梅云辉,刘胜,李辉,刘俐,雷翔,周颖,高翔[2]（2021）在《电子封装可靠性:过去、现在及未来》文中提出电子封装是芯片成为器件的重要步骤,涉及的材料种类繁多,大量材料呈现显着的温度相关、率相关的非线性力学行为。相关工艺过程中外界载荷与器件的相互作用呈现典型的多尺度、多物理场特点,对电子封装的建模仿真方法也提出了相应的要求。在可靠性验证方面,封装的失效主要包括热-力致耦合失效、电-热-力致耦合失效等。随着新型封装材料、技术的涌现,电子封装可靠性的试验方法、基于建模仿真的协同设计方法均亟待新的突破与发展。
赵程[3]（2021）在《Cascode结构GaN基HEMT器件功率循环温度可靠性研究》文中指出近年来GaN材料器件越来越广泛的应用于电力电子技术与通讯电子技术领域,在电压转换、快速充电、高频通信等领域发挥着重要作用。本文对Cascode结构GaN基HEMT器件进行了功率循环温度可靠性方面的实验和仿真研究。首先,本文针对GaN基HEMT器件的参数可靠性以及封装可靠性进行了广泛的调研分析。确定了影响GaN基HEMT器件内部参数可靠性的主要原因包括钝化层、势垒层、缓冲层以及金属接触层的陷阱效应、逆压电效应、热电子效应等。封装层面的可靠性体现在器件键合线、焊料层、塑封体等方面。本文提出通过功率循环实验来测试器件参数以及封装层面的可靠性问题。其次,本文对于Cascode结构氮化镓HEMT器件的结温测试进行了研究。针对器件内部的两部分管芯热源,通过比较分析,提出了采用复合温敏电参数,排除了与硅MOSFET串联的氮化镓管导通电阻的影响,进而快速精准测量器件结温。经过不同测试方法的对比,采用本文所提出的测试方法结温测试误差在5%范围内,符合功率循环实验的需求。随后,本文讨论了开关功耗负载与导通功耗负载两种负载加热电路。通过分析对比发现,两种负载电路均可以实现相应的升温功能,且各有优劣之处。开关负载电路可以保证每一颗器件的负载功率均为恒定值,导通负载电路相对开关负载电路结构更为简单,对电源要求较低。此外,由于开关负载电路中引入了较多的感性元件,导致整个功率回路的开关响应能力严重下降,负载功率较易达到饱和值。经过综合考虑各个影响因素,本文最终选择导通负载电路作为功率循环测试的负载加热电路。接着,本文对实验样品进行了100℃和150℃两组不同结温差值的功率循环老化测试。通过对比实验前后样品的导通电阻、阈值电压、关态漏电流以及栅极漏电流等参数,以导通电阻作为主要分析对象,选择出在老化实验后退化程度较高的器件进行解封实验。通过COMSOL热力学仿真软件对功率循环过程中引起的器件内部热力分布情况进行模拟,得到在器件的键合线两端焊点处以及键合点的线颈部应力分布最高;封装整体各部件边缘以及尖点处有明显的应力增强分布。且在固定芯片的银胶层两端出现断裂间隙,结合解封显微观察结果与热力学仿真结果,对失效现象进行了相应的解释。最后,本文通过TCAD软件对功率循环变温条件下器件内部的参数变化情况进行了分析。分别讨论了器件同一部位不同的陷阱分布形式、不同部位的陷阱分布浓度在不同温度应力条件下对于器件的导通电阻、跨导、饱和电流、关态漏电水平等参数的影响,并解释了参数退化的原因和机理。
张伟婷[4]（2021）在《碲镉汞大面阵红外焦平面探测器的可靠性技术研究》文中研究说明碲镉汞红外探测器具有波段覆盖宽、灵敏度高等优越性能,是航天遥感、天文科学等领域的红外探测的首选。随着红外探测与成像的空间分辨率不断提升,红外探测器规模不断扩大,但因其低温热失配引发的可靠性问题愈加严重。为此,本文重点开展大面阵芯片面形校正、低热应力结构设计等可靠性技术研究,具体研究内容如下:1.实现了大面阵红外焦平面探测器的结构优化设计。通过对探测器的结构尺寸进行优化以及材料参数合理选择等方法来减少应力较为集中的区域,从而起到调节应力大小的作用。在实际设计芯片时,调整光敏元分布的实际有效范围以削弱因为应力过度集中而对光敏元分布区域产生不良影响。根据探测器衬底材料和基板材料的不同,分别对其进行封装结构的优化设计,提升了Si基碲镉汞和SiC基板的大面阵探测器的结构可靠性。针对大面阵器件常出现的芯片边缘和四角区域应力过大、中心区域应变大和在低温环境下容易失效等问题进行了改善。经过100次的高低温循环试验,2kx2k焦平面探测器响应率及不均匀性、盲元率等核心性能没有变化。2.开展了红外焦平面探测器读出电路面形校正的研究。采用形变补偿的平衡结构和生长应力薄膜的方式,建立了红外焦平面探测器读出电路面形的校正方法。平衡结构是由硅读出电路和校正片用DW-3低温环氧胶粘接而成,经过该结构优化后,读出电路的形变量可从原始的13μm降低到小于3μm,在硅读出电路和探测器芯片倒焊后,2kx2k规模倒焊连通率达到99%。采用原子层沉积法在读出电路的背面生长氧化铝应力薄膜,41mm×38mm×0.48mm尺寸读出电路的PV值优于1.5μm,有效改善了探测器的表面平整度以及提高倒焊连通率。3.设计了一种适用于碲镉汞红外焦平面器件芯片可调节应力的装置,实现了张应力和压应力的自由调节。该应力装置可安装于杜瓦内部,能够给探测器芯片提供所需的低温环境,且可拆卸性较高。开展了外应力对碲镉汞长波器件芯片响应光谱影响的研究。获得了在不同应力状态下的器件芯片响应光谱的情况。根据能带理论分析和响应光谱测试结果可得出碲镉汞材料不同应力状态下材料禁带宽度变化规律;开展了外应力对碲镉汞长波器件芯片暗电流影响的研究。获得了在不同应力状态下的器件芯片暗电流的情况。根据有限元分析可知芯片端、边处应力水平较高,通过暗电流测试结果可得出,当压应力水平过高时,器件的性能可能会被完全损坏。同等应力水平的张应力比压应力对暗电流的影响小。该研究为大面阵焦平面探测器芯片的应力分析提供了宝贵的经验。
苏孟玮[5]（2021）在《AlGaN基深紫外发光二极管的可靠性研究》文中研究表明AlGaN基紫外LED作为新一代的紫外光源,具有波长连续可调的优势,可以满足现阶段各个领域对于紫外光波长的精准要求,有着节能、环境友好、体型小巧、较低的工作电压、较低的工作环境要求、较高的使用灵活性等优点,在市场上已经逐步取代传统的汞蒸气紫外光源。由于Al Ga N基紫外LED的寿命较短,以及对其性能要求的不断提升,人们需要对Al Ga N基紫外LED的失效机制有着更深层次的理解,即对其的可靠性进行研究。本论文的主要研究内容和成果如下:（1）基于目前紫外LED测试系统的不足,我们设计了一套紫外发光器件的可靠性测试系统。该系统符合科研测试需求且人机交互良好,可以在老化期间实时监控多个样品的多种测试参数,并且具有自动处理测试数据的功能。缩短了科研周期,并且可以对系统进行程序拓展与仪器拓展以满足逐渐发展的科研需求。（2）对280 nm LED进行可靠性分析。研究表明,在更靠近蓝宝石衬底的量子阱中,载流子会随着老化时间和应力电流重新分布。应力对Al Ga N/Al Ga N异质结界面的极化电荷和量子阱掺杂都有显着的影响。随着势垒与势垒之间晶格失配的减小,量子阱在电流应力作用下发生弛豫,在靠近衬底的量子阱出该现象更为明显。应变弛豫可能表明了一种新的位错扩散机制,该机制影响了异质结处的压电极化电荷。此外,供体杂质也随电流流动的迁移和扩散。这些机制导致了应力作用下量子阱晶体质量的下降,从而导致光功率的衰减。（3）对器件结构进行了优化,并对优化后的LED进行可靠性分析。研究表明,光功率曲线随时间有上升趋势,并可分为三部分:快速下降,慢速上升、慢速下降。该现象可能是Mg的相关缺陷或者是新结构下极化电场的新变化导致的。
刘昭云[6]（2021）在《Sn3.0Ag0.5Cu粘塑性及POP封装热振可靠性研究》文中研究指明近年来,各种类型的电子封装产品都朝着微型化、高集成度和高可靠性的方向发展,POP堆叠式电子封装（Package On Package,简称POP）已经开始越来越广泛地应用到包括智能移动手机、智能平板电脑、车载芯片以及航空航天等各个领域之中。由于POP堆叠封装高集成性的结构特点,其本身对于温度变化与振动的载荷较为敏感,封装体在多数实际工况下又常常面对温度循环与振动载荷同时加载的情况,因此,热振情况下的POP堆叠封装可靠性问题亟需研究和讨论。本文通过恒温压缩试验确定了Sn3.0Ag0.5Cu（以下简称SAC305）焊料的Anand粘塑性本构模型参数,建立了三维POP堆叠封装的有限元模型,通过热循环与随机振动的直接耦合来分析不同载荷情况下随机振动、热循环后随机振动等对于POP堆叠封装的可靠性影响,为POP堆叠封装的优化和改良提供理论基础和科学指导。一、通过恒温压缩试验确定SAC305焊料的粘塑性本构模型:通过恒温压缩试验得到SAC305应力应变曲线,计算并确定不同温度、应变率下SAC305焊料的Anand本构模型参数,研究表明:粘塑性无铅焊料SAC305焊料具有明显的温度效应和应变率效应。相同条件下,屈服应力随温度升高而下降,随应变率升高而升高,且温度效应较应变率效应更为显着。二、POP堆叠封装进行热循环可靠性研究:根据上文得到的Anand粘塑性本构模型,使用ANSYS软件建立POP有限元模型,对POP堆叠封装进行热循环-结构耦合分析,分析热循环后POP堆叠封装中累积塑性应变和等效应力的分布情况,结果表明:热循环中焊点关键位置的Von Mises应力随着温度的变化呈现方向相反,同步变化的趋势,等效塑性应变则随温度变化而增加。三、POP堆叠封装热振动可靠性研究:分析高低温度、保温时间、温度变化率及热循环对POP堆叠封装随机振动的影响。随机振动时,焊点处的最大应力随温度的变化而变化,焊点最大应力值随温度增加而增加,高温下焊点最大应力可达到22.335MPa远大于低温下17.425MPa,高温状态下,温度变化对应力最大值的影响更加明显;焊点处最大应力随保温时间增加而减小,保温时间从300s增加到1500s时,高温下最大应力增幅0.114%大于低温下应力增幅0.003%,高温下保温时间对焊点最大应力的影响更加明显;温度变化速率的提升会导致随机振动时焊点的最大应力值下降,升降温速率从0.3K/s变为0.9K/s时,高温下的最大应力降低幅度0.076%,大于低温下的应力降低幅度0.054%,且高温下对升降温速率的变化更加敏感;热循环状态中随机振动时,焊点最大应力值随温度变化较大,高温状态下最大应力25.641MPa远大于低温下焊点应力5.304MPa,且高温状态下焊点应力分布受到热循环时热应力与热变形的影响,整体应力从集中在内圈焊点的中间部分转移到外圈焊点,应力分布发生改变。
王欢鹏[7]（2021）在《射频微系统互连可靠性建模与仿真研究》文中进行了进一步梳理射频微系统在雷达、通信、电子对抗等领域具有重要应用价值。随着射频前端向着小型化、高度集成化的方向发展,具有更高互连密度的BGA（Ball Grid Array,球栅阵列）、TSV（Through Silicon Via,硅通孔）和RDL（Redistribution Layers,重布线层）等互连技术成为了射频微系统互连的主要工艺。射频微系统工作条件复杂,难以维修更换,同时由于高集成密度带来更大的单位面积热耗散,使得射频微系统互连结构的可靠性成为了射频微系统的关键技术之一,对加速射频微系统的工程化应用具有重要意义。然而目前射频微系统的可靠性研究仍然处于摸索阶段,因此本文针对射频微系统中的BGA、TSV和RDL等典型互连结构展开可靠性建模及其仿真研究,主要的工作内容有:（1）对BGA与RDL工艺组成的互连结构进行了可靠性研究。本文对BGA以及RDL工艺组成的互连结构进行基板材料、焊球材料、焊球个数、焊球间距、焊球直径共五个维度的可靠性研究和探索。针对温度冲击和随机振动载荷分别采用了Darveaux寿命预测模型和Steinberg三区间法进行BGA互连结构的寿命预测。仿真结果表明SAC305材料在随机振动以及温度冲击载荷中具有更长的寿命,而焊球的间距、直径和个数在随机振动和温度冲击载荷中均有不同影响,因此通过结构优化可有效提高可靠性,该结论为可靠性设计提供了重要参考。（2）对TSV与RDL工艺组成的互连结构进行了可靠性研究。重点研究了TSV硅转接板个数和信号孔位置对可靠性寿命的影响。针对铜填充的TSV采用了Multilinear Isotropic Hardening多线性各向强化模型进行力学表征,然后采用基于塑性应变的Coffin-Mason寿命模型对TSV进行温度冲击载荷的寿命预测,最后采用Steinberg三区法和基于弹性应变的寿命预测模型对TSV的随机振动寿命进行预测。仿真结果表明使用双TSV转接板在两种载荷下具有更长的寿命。（3）基于以上可靠性分析方法,对采用BGA以及RDL工艺进行封装构成的X波段四通道组件（2×2阵列）进行可靠性优化设计。该组件通过BGA焊球以及RDL工艺将四通道幅相多功能芯片以及功分器进行封装,封装尺寸为15mm×14.6mm。仿真得到组件单通道发射输出功率大于35d Bm,发射增益大于26d B,接收噪声系数小于3d B,接收增益大于15d B。提出了一种增加BGA接地焊球数量的方法提升可靠性,仿真结果表明可分别提高组件在温度冲击和随机振动载荷下寿命的25%和31%。
刘婕[8]（2021）在《全SiC功率模块可靠性研究》文中认为随着第三代半导体技术的发展,碳化硅（SiC）作为其中重要代表,已在新能源发电、智能电网功率转换、交通电气化等领域得到广泛的应用和发展。特别是在10k V左右的中大功率场合,相较于传统的硅（Si）基绝缘栅双极型晶体管（Insulator Gate Bipolar Transistor,IGBT）模块,SiC基功率模块具有优良的高温、高频特性、良好的传热性能以及更小的功率损耗,逐渐成为了Si基器件的潜在替代品。其中全SiC功率模块的研究和开发备受关注,但高功率密度模块伴随的高失效率和低可靠性问题不容忽视。本课题从模块的封装可靠性角度研究全SiC功率模块可靠性问题。首先总结了目前提出的适合SiC功率模块的封装结构,然后建立了三种不同的双面散热封装结构以及SiC模块常用的商业封装结构的有限元模型,通过多物理场仿真的方法对它们的温度场、应变场和寿命情况作对比分析,并考察了不同结构的焊料层寿命情况。据研究结果显示,3D双面散热结构表现出了更高的热可靠性。在唯一热源模拟功率循环的情况下,不仅具有较低的结温而且芯片和焊料层的应力应变情况甚至优于单面散热结构近30%;在热循环下该结构焊料层的疲劳寿命情况也明显优于其它结构。为了进一步提高模块的运行稳定性,保证模块的热-电可靠性,本文改进了1.2k V/200A的3D双面散热封装结构布局,以减小封装结构内部的寄生电感。本设计是将芯片分别烧结在两个对称的直接覆铜陶瓷基板（Direct Bounded Copper,DBC）上,提供了同时发生在两个DBC上的换流回路路径,这样的方式有效的扩大了每个芯片的水平、垂直距离和相关散热面积,使得芯片之间的热耦合效应得到了很好的缓解。并且优化后的布局结构的最大换流回路上的寄生电感仅为1.56 n H,尽可能地降低了寄生电感对开关性能的不利影响。而且与原始布局设计相比,所提出的布局还将最高结温降低22%以上。本文对全SiC功率模块进行了可靠性研究。对比分析四种不同封装结构的可靠性情况,根据分析结果进一步优化封装结构的DBC布局。优化后的结构在可以大幅降低模块内寄生电感的同时还有效缓解了芯片间热耦合效应,这对后续先进封装结构的设计和优化提供了一定的参考。
姜伟[9]（2020）在《In基复合钎料封装焊点键合工艺及热场可靠性研究》文中研究指明In基钎料是一种熔点较低的钎料,采用瞬态液相扩散（TLP）连接技术制备的In基钎料焊点能够实现焊点的低温键合高温服役特性,对解决芯片的耐高温问题具有重要意义。本文采用TLP技术制备了 In基封装焊点,优化了焊点的键合工艺,并对性能优良的焊点的进行了 300℃的高温时效处理,研究了高温时效对焊点组织及力学性能的影响规律,并评价了 In基复合钎料封装焊点高温服役下的可靠性。研究了 Cu/In-xNi/Cu焊点微观组织和力学性能,优化了 Cu/In-xNi/Cu焊点Ni含量、键合时间、键合温度和键合压力四项参数。结果表明,最优的Ni含量为30%,较优工艺参数为:3MPa-260℃-120min。当Ni含量为30%时,焊点中形成了连续且致密的Ni31n7骨架结构,此时剪切强度最高,为7.9MPa。随着键合时间的增加,焊点的中富In相逐渐减少,当键合时间增加到120min时,富In相消耗完全,界面开始生成Cu2In相;过小或过大的键合压力都会造成焊点中孔洞过多,当键合压力达到3MPa时,焊点的组织最为致密;当键合温度为26C℃时,焊点原位形成了致密的Ni3In7+Ni结构,界面形成Cullln9+Cu2In结构,当温度超过280℃时,界面和原位之间产生柯肯达尔孔洞,并逐渐扩展为裂纹。焊点的剪切强度随着键合时间、键合压力和键合温度的增加均呈现先上升后下降趋势,当键合时间为120min、键合压力为3MPa、键合温度为260℃时,焊点的剪切强度最高,为9.24MPa。探究了 InSn-xNi较优Ni含量,并采用正交优化法对焊点的键合工艺进行优化。结果表明:最优的Ni含量为45%,较优工艺参数为1MPa-260℃-30min。Cu/InSn-xNi/Cu焊点原位区域内生成的是InNi6Sn5三元相,而界面首先生成的是Cu6（In,Sn）5相,并逐渐转变为Cu3（In,Sn）相。原位和界面之间生成了棱柱状的（Cu,Ni）6（In,Sn）5四元相,该相在焊点中起钉扎作用,增强了界面和原位的连接性能;当Ni含量为45%时,焊点中的（Cu,Ni）6（In,Sn）5相含量最多,此时剪切强度最高,达9.76MPa。正交优化结果表明,键合压力对焊点力学性能影响最大,其次是键合温度,键合时间影响最小;根据极差分析结果可知,最优的键合工艺参数为1MPa、260℃、30min,在此工艺条件下制备的焊点剪切强度达15.89MPa,相较于In-30Ni钎料焊点增加了 72%。研究了 300℃高温时效对Cu/InSn-45Ni/Cu焊点组织及力学性能的影响规律。结果表明,焊点在界面处首先形成了Cu/Cu3（In,Sn）/Cu6（In,Sn）5的结构,随着高温时效时间的增加,焊点中的Cu6（In,Sn）5相逐渐转变为Cu3（In,Sn）相,最终形成全Cu3（In,Sn）相的稳定结构;原位内In-Sn-Ni三元固溶体在高温下会逐渐转变为Ni3Sn4和InNi相,这一过程伴随有孔洞的产生。焊点室温和高温剪切强度均随着时效时间的增加呈下降趋势,室温剪切强度总是高于高温剪切强度,但是随着时效时间的增加,两者逐渐趋于一致。
袁盛杰[10]（2020）在《拖拉机传动系统控制器热可靠性研究》文中进行了进一步梳理随着拖拉机的智能化和自动化发展,电子系统集成化和小型化发展,传动系统控制器作为拖拉机的重要电子控制系统,单位体积内功率越来越大,产生大量的热量且不易散发出去,从而导致TCU的温度过高,容易提前失效。因此,本文对国内某拖拉机传动系统控制器开展了基于热仿真分析和加速寿命试验的热可靠性研究。通过确定控制器的薄弱部位和寿命预测,为控制器开展热特性和可靠性优化设计提供依据。本文通过Flotherm和ANSYS Workbench建立了控制器的温度场和应力场仿真模型。基于温度测试系统,开展了不同环境温度条件下的温度测试试验,得出元器件温度随环境温度近似呈线性增长的变化规律。通过相同条件下试验数据和仿真数据对比,验证了控制器温度场仿真模型的准确性。通过不同环境温度条件下的电路板组件温度场仿真分析,得出环境温度每上升10℃,元器件温度升高约9.6℃。确定了在高温条件下,开关电源、主控芯片和驱动芯片等元器件因温度较高容易提前失效,为后续开展加速寿命试验提供了依据。研究了环境温度对控制器电路板组件热应力的影响规律。综合热应力和热变形仿真结果得出控制器工作在环境温度20℃左右时,热应力和热变形值最小。研究了固定约束方式对热应力的影响作用,结果表明,在电路板四角和中间区域均匀布置定位约束孔有利于减小最大热应力。在高温条件下,确定了热应力和热变形较大的元件为主控芯片,对其建立了详细的热应力仿真模型,确定了在高温条件下引脚部位热应力和热变形量较大。通过对三种引脚材料热应力对比研究,得出使用热膨胀系数较小的可伐合金材料时,主控芯片的引脚应力最小。在进行可靠性研究时,针对高可靠性长寿命TCU采用基于元器件的性能退化,先关键模块后整体系统的温度循环加速寿命试验方法,对其开展可靠性研究和寿命预测。通过确定温度循环加速试验组合加速模型、定时截尾的试验方法以及样本数量,制定了具体的试验方案。依据项目合作单位拖拉机传动系统控制器温度循环试验数据,利用该控制器可靠性的分析方法,对其进行了寿命预测和可靠度评价。在置信度60%条件下,估计得到主控芯片和驱动芯片的平均使用寿命为12798.83h,其可靠度水平随时间逐渐降低,在使用时间至65000h时完全失效。串联系统TCU的平均使用寿命为6399.41h,根据可靠度函数得出在正常环境条件下使用时间至32500h时,TCU完全失效。全文图41幅,表14个,参考文献77篇。
二、电子封装可靠性研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电子封装可靠性研究（论文提纲范文）
（1）三维封装集成电路中的电热特性分析研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 部分短语中英文对照 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 三维封装集成电路硅通孔电特性研究 |
| 1.2.2 三维封装集成电路热特性建模研究 |
| 1.2.3 三维封装集成电路硅通孔电—热耦合特性研究 |
| 1.2.4 三维封装集成电路有源器件电热可靠性研究 |
| 1.3 研究内容 |
| 1.3.1 科学问题和技术挑战 |
| 1.3.2 本文研究内容 |
| 1.4 组织结构 |
| 第2章 电热耦合仿真的基本原理与实现方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 电热耦合仿真的基本理论 |
| 2.2.1 耦合仿真原理 |
| 2.2.2 问题特点 |
| 2.2.3 电热耦合的基本方程 |
| 2.2.4 电热耦合的仿真流程 |
| 2.3 基于路分析方法的电热耦合仿真原理和实现方法 |
| 2.3.1 耦合仿真原理 |
| 2.3.2 编程示例和数值求解方法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 三维封装集成电路的瞬态等效热路建模研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 等效热路建模的基本理论 |
| 3.2.1 等效热路网络的类型 |
| 3.2.2 热阻热容的计算式 |
| 3.3 硅通孔阵列的三维等效热路建模 |
| 3.3.1 硅通孔阵列的三维等效热路网络 |
| 3.3.2 硅通孔单元的热阻热容值计算 |
| 3.3.3 热边界建模 |
| 3.4 模型的验证与分析 |
| 3.4.1 不同热边界条件下的验证 |
| 3.4.2 不同规模硅通孔阵列的验证 |
| 3.4.3 非均匀排列的硅通孔阵列的验证 |
| 3.5 模型的适用性 |
| 3.5.1 适用条件 |
| 3.5.2 适用范围 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 三维封装集成电路的等效电路和等效热路建模与耦合仿真方法研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 同轴硅通孔的等效电路建模与验证 |
| 4.2.1 硅通孔MOS效应温变特性的建模与验证 |
| 4.2.2 等效电路模型中其它电路元件的建模和计算 |
| 4.2.3 等效电路整体模型的仿真验证 |
| 4.3 同轴硅通孔的三维瞬态等效热路建模与仿真验证 |
| 4.3.1 建模过程 |
| 4.3.2 模型验证 |
| 4.4 同轴硅通孔基于等效电路和等效热路模型的电热耦合仿真 |
| 4.4.1 耦合方法 |
| 4.4.2 瞬态电热耦合仿真结果 |
| 4.4.3 MOS效应的温变特性对结果的影响 |
| 4.4.4 周围环境对结果的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 三维封装集成电路有源器件的电热可靠性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电路场景下电热效应的仿真分析 |
| 5.2.1 环形振荡器的电路仿真 |
| 5.2.2 环形振荡器三维结构的瞬态热传导仿真 |
| 5.3 电路中FinFET晶体管的电热可靠性分析 |
| 5.3.1 阈值电压漂移模型 |
| 5.3.2 阈值电压漂移的仿真预测 |
| 5.3.3 不同电热参数对结果的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论与创新点 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 个人简介 |
（2）电子封装可靠性:过去、现在及未来（论文提纲范文）
| 0前言 |
| 1 电子封装可靠性研究共性技术 |
| 1.1 典型封装材料 |
| 1.2 典型建模仿真方法 |
| 1.2.1 多尺度建模 |
| 1.2.2 多物理场的耦合分析 |
| 1.3 失效类型及机理分析 |
| 2 典型电子封装领域可靠性研究 |
| 2.1 LED封装可靠性研究 |
| 2.2 功率电子封装可靠性研究 |
| 2.3 微电子芯片封装可靠性研究 |
| 3 展望 |
（3）Cascode结构GaN基HEMT器件功率循环温度可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 氮化镓功率器件概述 |
| 1.1.1 氮化镓材料 |
| 1.1.2 氮化镓HEMT器件结构及类型 |
| 1.2 氮化镓HEMT器件的可靠性研究 |
| 1.2.1 器件参数漂移失效 |
| 1.2.2 器件封装结构失效 |
| 1.2.3 可靠性研究仿真软件 |
| 1.3 氮化镓功率器件封装 |
| 1.3.1 常见封装类型 |
| 1.3.2 器件封装工艺过程 |
| 1.4 功率循环测试 |
| 1.5 本文的结构和安排 |
| 2 Cascode氮化镓HEMT器件结温测试 |
| 2.1 半导体器件结温测试方法 |
| 2.1.1 物理接触法 |
| 2.1.2 光学方法 |
| 2.1.3 电学测量法 |
| 2.2 温敏电参数的选择 |
| 2.3 器件结温的差异验证 |
| 2.3.1 Cascode结构器件结温测试差异 |
| 2.3.2 Cascode结构器件结温测试验证 |
| 2.3.3 结温测试电流范围确定 |
| 2.3.4 不同器件间的结温K线对比 |
| 3 功率循环负载电路设计 |
| 3.1 Cascode氮化镓HEMT器件的工作原理 |
| 3.2 开关损耗电路设计 |
| 3.2.1 电路设计过程 |
| 3.2.2 电路实际效果分析 |
| 3.3 导通损耗电路设计 |
| 3.3.1 电路设计过程 |
| 3.3.2 电路实际效果分析 |
| 4 功率循环测试与结果分析 |
| 4.1 功率循环实验流程 |
| 4.2 器件参数退化分析 |
| 4.3 器件封装结构仿真分析 |
| 4.4 器件解封分析 |
| 5 功率循环中器件参数退化的物理仿真 |
| 5.1 器件建模 |
| 5.2 陷阱分布模型 |
| 5.3 结温循环下器件陷阱分布对参数的影响 |
| 5.4 结温循环下陷阱位置及浓度对参数的影响 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 不足与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（4）碲镉汞大面阵红外焦平面探测器的可靠性技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 红外技术简介 |
| 1.1.1 红外辐射 |
| 1.1.2 红外探测器 |
| 1.2 碲镉汞红外焦平面探测器 |
| 1.2.1 碲镉汞材料特性 |
| 1.2.2 碲镉汞红外焦平面探测器的发展历程 |
| 1.2.3 碲镉汞红外焦平面探测器的表征 |
| 1.2.4 碲镉汞红外焦平面探测器的研究现状 |
| 1.3 碲镉汞大面阵红外焦平面探测器的可靠性技术问题 |
| 1.3.1 大面阵红外探测器的发展现状与趋势 |
| 1.3.2 可靠性的研究历程和试验方法 |
| 1.3.3 大面阵红外探测器存在的可靠性问题 |
| 1.4 本论文的研究出发点及内容安排 |
| 1.4.1 本论文的研究出发点 |
| 1.4.2 本论文的内容安排 |
| 第二章 可靠性相关理论基础与研究方法 |
| 2.1 红外焦平面探测器的封装结构 |
| 2.1.1 探测器封装可靠性研究的意义 |
| 2.1.2 多层结构热失配形变 |
| 2.1.3 多层结构体系中的热应力 |
| 2.2 有限元法 |
| 2.2.1 基本思想 |
| 2.2.2 数学模型 |
| 2.2.3 有限元分析过程及步骤 |
| 2.3 ANSYS有限元分析软件 |
| 2.3.1 ANSYS软件简介 |
| 2.3.2 ANSYS有限元分析基本流程 |
| 2.3.3 ANSYS热力学分析 |
| 2.4 热应力及固体力学相关概念 |
| 2.4.1 热应力相关概念 |
| 2.4.2 固体力学相关概念简介 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 碲镉汞大面阵红外探测器结构可靠性设计 |
| 3.1 热应力理论 |
| 3.2 大面阵红外探测器结构以及工艺流程 |
| 3.2.1 大面阵探测器衬底材料 |
| 3.2.2 芯片结构和工艺流程 |
| 3.3 大面阵红外探测器设计的结构模型 |
| 3.3.1 结构模型参数 |
| 3.3.2 网格与边界条件设置 |
| 3.4 GaAs基探测器热失配研究 |
| 3.4.1 GaAs基探测器热失配产生原因及影响因素 |
| 3.4.2 封装结构改进 |
| 3.5 Si基探测器热失配研究 |
| 3.5.1 Si基探测器热失配产生原因及影响因素 |
| 3.5.2 封装结构改进 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 大面阵红外探测器读出电路的面形校正研究 |
| 4.1 读出电路面形校正的研究背景及原因 |
| 4.2 实验设计 |
| 4.3 平衡结构 |
| 4.3.1 校正方法 |
| 4.3.2 实验测试方法和仪器 |
| 4.3.3 实验结果 |
| 4.3.4 有限元分析 |
| 4.4 应力膜 |
| 4.5 校正后焦平面探测器的连通率 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 外应力对碲镉汞红外探测芯片光电性能影响的研究 |
| 5.1 施加外应力装置设计 |
| 5.1.1 结构设计 |
| 5.1.2 调节方式 |
| 5.2 红外焦平面探测器的光谱测试 |
| 5.2.1 傅里叶变换光谱仪 |
| 5.2.2 光栅光谱仪 |
| 5.3 傅里叶变换红外光谱测试原理和影响因素 |
| 5.4 外应力对长波碲镉汞器件响应光谱的影响 |
| 5.4.1 芯片测试结构 |
| 5.4.2 测试结果分析 |
| 5.5 碲镉汞光伏型探测器的暗电流机制 |
| 5.6 外应力对长波碲镉汞器件暗电流的影响 |
| 5.6.1 暗电流测试顺序 |
| 5.6.2 测试结果与分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本文主要结论 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及在攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（5）AlGaN基深紫外发光二极管的可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物的性质 |
| 1.2 深紫外器件研究背景与进展 |
| 1.3 紫外器件的可靠性研究背景与意义 |
| 1.4 本文的研究内容及其意义 |
| 第二章 可靠性测试、仿真计算等相关理论 |
| 2.1 可靠性测试相关理论 |
| 2.2 仿真计算相关理论 |
| 2.2.1 仿真相关理论 |
| 2.2.2 晶格失配相关计算理论 |
| 第三章 紫外LED可靠性测试系统设计 |
| 3.1 紫外LED可靠性测试系统设计背景 |
| 3.2 紫外LED可靠性测试系统预计功能 |
| 3.3 可靠性测试系统测试物理设计方案 |
| 3.4 装置选择与相关数据 |
| 3.4.1 可调电源 |
| 3.4.2 温度控制装置 |
| 3.4.3 检测装置 |
| 3.5 模块控制与数据采集软件设计 |
| 3.5.1 开发环境与硬件需求 |
| 3.5.2 程序逻辑设计 |
| 3.5.3 程序及UI |
| 3.6 测试系统的实现、优化与拓展 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 电流应力下的280nm紫外LED的可靠性分析 |
| 4.1 280nm LED的可靠性实验 |
| 4.1.1 280nm LED器件结构 |
| 4.1.2 280nm LED可靠性实验方案 |
| 4.3 280nm LED可靠性实验结果与分析 |
| 4.3.1 280nm LED可靠性实验光学特性分析 |
| 4.3.2 280nm LED可靠性实验电学特性分析 |
| 4.4 280nm LED可靠性实验结果仿真分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于电流下的新结构紫外LED的可靠性分析 |
| 5.1 新结构LED的可靠性实验 |
| 5.1.1 新结构LED器件结构与特性 |
| 5.1.2 新结构LED可靠性实验方案 |
| 5.2 新结构LED可靠性实验结果分析 |
| 5.2.1 新结构LED可靠性实验光学特性分析 |
| 5.2.2 新结构LED可靠性实验电学特性分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 6.1 研究结论 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表论文情况 |
（6）Sn3.0Ag0.5Cu粘塑性及POP封装热振可靠性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 微电子封装简介 |
| 1.2.1 微电子封装发展历程 |
| 1.2.2 无铅焊料发展历程 |
| 1.2.3 POP堆叠封装简介 |
| 1.3 无铅焊料性能及微电子封装可靠性研究综述 |
| 1.3.1 无铅焊料力学性能研究 |
| 1.3.2 微电子封装热振可靠性研究 |
| 1.4 本文主要工作 |
| 第二章 无铅焊料SAC305 恒温压缩试验 |
| 2.1 材料的非线性理论 |
| 2.2 实验设计 |
| 2.3 实验结果分析 |
| 2.3.1 SAC305 应变率效应 |
| 2.3.2 SAC305 温度效应 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 确定Anand粘塑性本构模型参数 |
| 3.1 Anand粘塑性本构模型 |
| 3.2 Anand粘塑性本构参数求解理论分析 |
| 3.3 Anand粘塑性本构参数求解过程 |
| 3.4 计算结果及分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 POP堆叠封装热循环有限元仿真分析 |
| 4.1 建立POP有限元模型 |
| 4.2 边界条件及载荷设定 |
| 4.3 热循环载荷下POP的有限元分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 POP堆叠封装热振动有限元仿真分析 |
| 5.1 POP堆叠封装的随机振动 |
| 5.2 温度变化对POP堆叠封装随机振动的影响 |
| 5.3 保温时间对POP堆叠封装随机振动的影响 |
| 5.4 温度变化率对POP堆叠封装随机振动的影响 |
| 5.5 热循环对POP堆叠封装随机振动的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 本文结论 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间所取得的的学术成果 |
（7）射频微系统互连可靠性建模与仿真研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 射频微系统互连技术介绍 |
| 1.3 射频微系统互连可靠性研究动态 |
| 1.3.1 材料本构模型 |
| 1.3.2 可靠性寿命预测模型 |
| 1.4 本文研究内容与章节安排 |
| 第二章 射频微系统互连结构可靠性理论简介 |
| 2.1 射频电路基础理论 |
| 2.2 射频互连材料本构模型 |
| 2.3 热力学理论 |
| 2.4 随机振动分析 |
| 2.4.1 模态分析 |
| 2.4.2 谱分析 |
| 2.5 射频微系统互连结构可靠性寿命预测模型 |
| 2.5.1 基于能量的寿命预测模型 |
| 2.5.2 Steinberg三区间寿命预测方法 |
| 第三章 BGA互连结构可靠性研究 |
| 3.1 BGA结构介绍 |
| 3.2 温度冲击下的BGA互连结构可靠性 |
| 3.2.1 BGA结构参数化建模 |
| 3.2.2 焊料和基板材料对温冲寿命的影响 |
| 3.2.3 焊球特征尺寸对温冲寿命的影响 |
| 3.3 随机振动下的BGA互连结构可靠性 |
| 3.3.1 焊料以及基板材料对随机振动可靠性的影响 |
| 3.3.2 焊球特征尺寸对随机振动可靠性的影响 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 TSV互连结构可靠性研究 |
| 4.1 TSV结构介绍 |
| 4.2 温度冲击下的TSV互连结构可靠性 |
| 4.2.1 TSV参数化建模 |
| 4.2.2 硅板数量对温冲的寿命影响 |
| 4.2.3 信号孔布局对温冲的寿命影响 |
| 4.3 随机振动下的TSV互连结构可靠性 |
| 4.3.1 TSV硅板数量对随机振动寿命影响 |
| 4.3.2 信号孔位置对随机振动寿命影响 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 采用Fanout工艺的X波段四通道组件可靠性研究 |
| 5.1 X波段四通道组件设计 |
| 5.2 温度冲击下组件的可靠性研究 |
| 5.3 随机振动下组件的可靠性研究 |
| 5.4 四通道组件可靠性寿命优化设计 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 结论 |
| 6.1 论文工作总结 |
| 6.2 下一步工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
| A.论文发表 |
（8）全SiC功率模块可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 国内外发展现状 |
| 1.2.1 功率器件 |
| 1.2.2 封装结构 |
| 1.2.3 封装材料 |
| 1.2.4 可靠性研究 |
| 1.3 本文的主要工作 |
| 1.4 本章小结 |
| 第二章 理论基础 |
| 2.1 温度场理论 |
| 2.1.1 热传递 |
| 2.1.2 温度场 |
| 2.1.3 热应力 |
| 2.2 Anand本构模型 |
| 2.3 疲劳寿命预测模型 |
| 2.4 半桥电路寄生参数分布 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 SiC功率模块封装结构热可靠性分析及寿命预测 |
| 3.1 有限元分析 |
| 3.1.1 ANSYS软件简介 |
| 3.1.2 ANSYS计算流程 |
| 3.2 SiC功率模块封装结构模型建立 |
| 3.2.1 模型简化 |
| 3.2.2 有限元模型建立 |
| 3.3 封装结构热可靠性分析 |
| 3.3.1 唯一热源循环下芯片结温 |
| 3.3.2 唯一热源循环下整体模型应力应变情况 |
| 3.3.3 热循环下芯片及焊料层应力情况 |
| 3.3.4 热循环下焊料层塑性应变情况 |
| 3.4 热循环下焊料层疲劳寿命预测 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 优化SiC功率模块封装结构布局 |
| 4.1 有限元分析 |
| 4.1.1 ANSYS Q3D Extractor软件简介 |
| 4.1.2 ANSYS Q3D Extractor计算流程 |
| 4.2 仿真模型建立 |
| 4.3 寄生电感提取与比较 |
| 4.4 开关动态特性对比 |
| 4.5 布局结构热分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况 |
| 致谢 |
（9）In基复合钎料封装焊点键合工艺及热场可靠性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究意义 |
| 1.2 电子封装领域耐高温钎料研究现状 |
| 1.2.1 Au基钎料 |
| 1.2.2 Bi基钎料 |
| 1.2.3 In基钎料 |
| 1.3 耐高温钎料焊点制备技术研究现状 |
| 1.3.1 低温烧结技术 |
| 1.3.2 固液扩散连接技术 |
| 1.3.3 瞬时液相扩散连接技术 |
| 1.4 课题研究内容 |
| 第二章 试验材料及方法 |
| 2.1 试验材料 |
| 2.2 试验方法及过程 |
| 2.2.1 复合钎料的制备 |
| 2.2.2 钎料的涂覆 |
| 2.2.3 焊点的制备 |
| 2.2.4 高温时效处理 |
| 2.3 材料表征 |
| 2.3.1 焊点微观组织分析 |
| 2.3.2 图像处理 |
| 2.3.3 焊点剪切性能试验 |
| 2.3.4 X衍射 |
| 2.4 试验设备 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 Cu/In-xNi/Cu焊点的组织和力学性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 In-xNi复合钎料成分设计 |
| 3.2.1 Ni含量对焊点原位组织的影响规律 |
| 3.2.2 Ni含量对焊点界面组织的影响规律 |
| 3.2.3 Ni含量对焊点力学性能的影响规律 |
| 3.3 键合工艺参数优化 |
| 3.3.1 键合时间对焊点原位组织的影响规律 |
| 3.3.2 键合时间对焊点界面IMC的影响规律 |
| 3.3.3 键合时间对焊点力学性能及断口形貌的影响规律 |
| 3.4 键合压力工艺参数优化 |
| 3.4.1 键合压力对焊点组织及高度的影响规律 |
| 3.4.2 键合压力对焊点力学性能的影响规律 |
| 3.5 键合温度工艺优化 |
| 3.5.1 键合温度对焊点组织的影响规律 |
| 3.5.2 键合温度对焊点力学性能的影响规律 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 Cu/In-Sn-xNi/Cu焊点的组织及力学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 In-Sn-xNi复合钎料成分设计 |
| 4.2.1 Ni颗粒含量对In-Sn钎料焊点组织影响规律 |
| 4.2.2 Ni颗粒含量对焊点力学性能及断口的影响规律 |
| 4.2.3 In-Sn-xNi复合钎料成分确定 |
| 4.3 Cu/InSn-45Ni/Cu焊点键合工艺优化 |
| 4.3.1 正交试验设计 |
| 4.3.2 正交试验结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 高温热场下Cu/InSn-45N/Cu焊点可靠性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 高温热场作用下焊点组织演变规律 |
| 5.2.1 高温时效对焊点界面组织的影响规律 |
| 5.2.2 高温时效对焊点原位组织的影响规律 |
| 5.3 高温时效对焊点力学性能及断口形貌的影响规律 |
| 5.3.1 焊点力学性能变化规律 |
| 5.3.2 焊点室温剪切断口形貌 |
| 5.3.3 焊点高温剪切的断口形貌 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论着、论文 |
| 致谢 |
（10）拖拉机传动系统控制器热可靠性研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外发展及研究现状 |
| 1.2.1 电子设备热仿真分析技术研究现状 |
| 1.2.2 加速寿命试验技术研究现状 |
| 1.3 论文主要研究工作 |
| 2 拖拉机传动系统控制器热仿真分析模型的建立 |
| 2.1 控制器温度场仿真模型的建立 |
| 2.1.1 热仿真分析理论基础 |
| 2.1.2 控制器三维模型建立 |
| 2.1.3 关键元件功耗的确定 |
| 2.1.4 网格划分和求解参数的设定 |
| 2.2 传动系统控制器温度场仿真模型的验证 |
| 2.2.1 温度测试系统 |
| 2.2.2 温度测试试验方案 |
| 2.2.3 试验结果分析 |
| 2.3 传动系统控制器热应力仿真分析模型的建立 |
| 2.3.1 热应力仿真分析平台的确定 |
| 2.3.2 电路板组件材料参数的设定 |
| 2.3.3 温度载荷加载及约束的设定 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 拖拉机传动系统控制器热仿真分析研究 |
| 3.1 传动系统控制器温度场仿真结果分析 |
| 3.1.1 高温条件下控制器温度场仿真结果分析 |
| 3.1.2 高寒环境条件下控制器温度场仿真结果分析 |
| 3.1.3 环境温度对元器件温度影响分析 |
| 3.2 传动系统控制器热应力仿真分析 |
| 3.2.1 电路板组件热应力仿真结果分析 |
| 3.2.2 环境温度对电路板组件热应力影响研究 |
| 3.2.3 固定约束方式对电路板热应力影响研究 |
| 3.3 控制器关键元件热应力仿真分析 |
| 3.3.1 芯片模块热应力有限元模型的建立 |
| 3.3.2 芯片热应力仿真结果分析 |
| 3.3.3 不同引脚材料对芯片热应力仿真结果研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 拖拉机传动系统控制器热可靠性分析研究 |
| 4.1 传动系统控制器可靠性试验方案的确定 |
| 4.1.1 可靠性基础理论研究 |
| 4.1.2 传动系统控制器可靠性试验方法的确定 |
| 4.1.3 传动系统控制器加速寿命试验系统的搭建 |
| 4.2 传动系统控制器温度循环加速寿命研究 |
| 4.2.1 传动系统控制器加速寿命试验关键参数的确定 |
| 4.2.2 加速模型和加速因子的确定 |
| 4.2.3 加速寿命试验截尾方式和数据采集方法的确定 |
| 4.3 传动系统控制器可靠性数据分析 |
| 4.3.1 温度循环试验参数的处理 |
| 4.3.2 控制器关键元件可靠性分析 |
| 4.3.3 控制器系统可靠性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
四、电子封装可靠性研究（论文参考文献）
- [1]三维封装集成电路中的电热特性分析研究[D]. 闵球. 浙江大学, 2021(01)
- [2]电子封装可靠性:过去、现在及未来[J]. 陈志文,梅云辉,刘胜,李辉,刘俐,雷翔,周颖,高翔. 机械工程学报, 2021(16)
- [3]Cascode结构GaN基HEMT器件功率循环温度可靠性研究[D]. 赵程. 大连理工大学, 2021(01)
- [4]碲镉汞大面阵红外焦平面探测器的可靠性技术研究[D]. 张伟婷. 中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所), 2021(01)
- [5]AlGaN基深紫外发光二极管的可靠性研究[D]. 苏孟玮. 广西大学, 2021(12)
- [6]Sn3.0Ag0.5Cu粘塑性及POP封装热振可靠性研究[D]. 刘昭云. 太原科技大学, 2021
- [7]射频微系统互连可靠性建模与仿真研究[D]. 王欢鹏. 电子科技大学, 2021(01)
- [8]全SiC功率模块可靠性研究[D]. 刘婕. 天津工业大学, 2021(01)
- [9]In基复合钎料封装焊点键合工艺及热场可靠性研究[D]. 姜伟. 苏州大学, 2020
- [10]拖拉机传动系统控制器热可靠性研究[D]. 袁盛杰. 北京交通大学, 2020(03)