一、The Characterisitic of Proton-Exchanged LiNbO_3 Waveguide Formed by Different Proton Source（论文文献综述）
徐庆东[1]（2019）在《缓冲质子交换近化学计量比LiNbO3光波导的制备与表征》文中进行了进一步梳理铌酸锂（LiNbO3,LN）晶体具备优良的电光,压电,非线性光学等性能,在可见光和近红外波段具有较低的传输损耗。与同成分铌酸锂（CLN）晶体相比,近化学计量比铌酸锂（NSLN）晶体表现出更强的电光和非线性效应以及较低的畴反转极化电压等优势。因此,本文首次利用质子交换法详细地研究了NSLN在不同条件下的扩散系数,建立了两种扩散机制;其次对质子交换后晶体腐蚀特性进行定性分析;最后采用缓冲质子交换和退火技术制备了NSLN条形光波导,并对条波导进行表征。本文工作为制作高质量的PPLN波导开辟了一条新的路径。本论文主要进行了以下几个方面的研究和探讨:一、采用Z切CLN晶体作为初始材料。使用VTE技术制备出NSLN晶体,将CLN晶体和NSLN晶体放入不同浓度（0%～3%）的交换液中在不同温度（210℃、225℃、245℃）下质子交换,接着部分样品在不同温度（300℃、360℃、376℃）下退火,制作了一系列平面光波导,使用棱镜耦合仪测量并用IWKB法拟合出相应的波导折射率分布,计算出交换和退火扩散系数。二、对NSLN晶体和CLN晶体扩散系数进行分析。结果表明CLN晶体中的退火扩散系数始终比NSLN晶体中的值大,而两种材料中交换扩散系数的大小关系要根据交换液浓度和交换温度而定。通过对比NSLN晶体和CLN晶体中交换和退火扩散系数的大小关系,总结出两种扩散机制:交换扩散机制和退火扩散机制,质子交换过程是这两种扩散机制共同作用下的结果。对质子交换后晶体放入混合酸中在不同时间（0～600min）下进行腐蚀,得到腐蚀特性结果,从而确定合适的交换液浓度、交换温度和时间、退火温度和时间来制作NSLN条形光波导。三、使用Z切CLN和NSLN晶体作为初始材料。采用磁控溅射在材料+Z面光刻制作出二氧化硅掩膜,然后在225℃下使用2.5%的缓冲液质子交换60h,再在320℃下退火20h得到8μm宽的条波导。对制备的条波导进行表征:首先利用Rsoft软件对1550nm波长下条波导近场模式进行仿真;其次搭建近场模式采集系统,对CLN和NSLN波导的近场模式进行了采集,得到沿宽度方向模场分布满足高斯分布,沿深度方向模场分布满足厄米高斯分布,与仿真结果相吻合;最后在1.2cm的波导长度下,计算出CLN和NSLN波导插入损耗分别为2.4d B和2.9d B,耦合损耗分别为0.39d B和0.41d B,得出CLN和NSLN条波导传输损耗分别为0.85d B/cm和1.23d B/cm,并且采用截断法对两种材料的传输损耗进行测试计算,得出CLN和NSLN条波导传输损耗分别为0.75d B/cm和1.25d B/cm。
王健,余才佳,纪引虎,熊恒,闫鑫[2]（2017）在《缓冲质子源LiNbO3波导折射率计算及实验》文中研究表明为实现铌酸锂退火质子交换（APE）波导折射率分布的准确计算,选择含苯甲酸锂的苯甲酸缓冲液作为质子交换质子源,高温退火制作了波导样本。针对该工艺过程建立退火质子交换波导模型,包括非线性扩散模块和光学数值仿真模块,分别计算APE波导折射率及其模式有效折射率。以测得的样本波导模式有效折射率和计算的有效折射率差的均方根构建评价函数（FOM）,结合遗传算法提取该工艺条件下质子扩散参数,实现了不同交换深度和退火时间波导折射率分布及其光学特性的一体化计算。实验表明:FOM小于0.001,计算折射率分布同IWKB方法测得结果吻合较好,最大偏差约0.002。
汪昌君,陈抱雪,方锦辉,陈子维[3]（2015）在《硬脂酸高温质子交换α相铌酸锂光波导的制备技术研究》文中研究说明采用稀释硬脂酸和高温质子交换技术,研究了单偏振α相铌酸锂光波导的制备工艺。开发了一种高温密闭装置,通过提高蒸汽压的方法实现了350℃质子交换。波导折射率分布测试采用了棱镜薄膜耦合m线技术结合统计迭代法拟合的方法,晶相分析采用了红外吸收光谱技术。实验结果表明,掺入1.1%硬脂酸锂质量比例的硬脂酸作为缓冲质子源,经350℃/6h高温质子交换,可以形成α相铌酸锂光波导,稀释度为1.3%时,同样的温度/时间条件下,可以获得632.8nm单模α相铌酸锂光波导。
陈硕,刘占元,刘鹏飞,陈开鑫[4]（2014）在《硬脂酸质子交换X切LiNbO3光波导的制备技术研究》文中指出利用无毒、无腐蚀性的硬脂酸作为交换质子源,研究了在X切LiNbO3晶片上制作单模条形光波导的工艺技术。通过对平板光波导的交换及退火特性的研究,确定了获得单模条形光波导的工艺参数,制作并测试了条宽不等的X切Y传LiNbO3单模条形光波导。结果表明该工艺条件下制作的条宽为6μm的单模波导实现了小于1dB/cm的传输损耗,为采用硬脂酸作为交换质子源研制X切Y传LiNbO3集成光波导器件奠定了基础。
王腾飞,陈抱雪[5]（2013）在《高温质子交换铌酸锂波导制备工艺研究》文中认为研究了一种高温质子交换制备铌酸锂光波导的工艺技术,质子源是稀释的苯甲酸熔融液,通过提高蒸气压的方法实现了350℃质子交换,X线衍射测试表明波导层具有单纯的α相结构。采用该技术实验制备了铌酸锂Y分支波导,报告了波导单模特性的测试判断方法,研究了控制波导单模传输的工艺环节。测试表明,试制样品在1 310nm和1 550nm波长下具有良好的单模传输特性。
李士玲[6]（2008）在《质子交换在铌酸锂和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成光波导》文中研究表明报道了用质子交换法在铌酸锂晶体和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成了光波导,在633和1539nm波长下,用棱镜耦合法测量了波导的暗模特性;端面耦合得到波导的近场光强分布,与普通铌酸锂质子交换形成光波导的近场输出相比,输出光强均匀而且比较亮,说明在同化学剂量比的铌酸锂中形成的光波导质量要好些.对普通铌酸锂晶体质子交换光波导,研究了波导退火特性,经过退火,折射率分布由阶跃型转变成渐变型的,退火的时间越长,折射率分布变化的趋势越缓慢;并给出了不同交换时间下样品的RBS/Channeling谱,与未进行交换的样品相比,质子交换铌酸锂的沟道谱的产额有增高,而且交换时间的越长,产额增高的越多.
王帆[7]（2008）在《光纤陀螺用Y分支光波导的质子交换及退火研究》文中进行了进一步梳理Y分支是集成光学中的重要器件单元，广泛应用于调制器，光开关，光分路器的器件中，尤其是作为中高精度光纤陀螺系统的核心器件。首先，文章简要阐述了干涉式光纤陀螺仪（I-FOG）的基本工作原理；然后，利用有效折射率法，讨论得到高斯型渐变折射率波导在单模传输条件。在Y分支光波导的设计方面，针对两种不同弯曲Y分支的弯曲损耗，分别用光波导的弯曲损耗理论和时域有限差分光束传输法（FD-BPM）仿真，得出了一组最优化的Y分支光波导设计参数。然后结合扩散反应动力学理论中的空位与间隙扩散机制，分析了质子交换、退火质子交换、缓冲源质子交换波导的折射率变化。并对交换后铌酸锂波导的晶相特性进行分析，从晶体结构和H+浓度的角度来解释其特性变化。对交换过程添加缓冲质子源（苯甲酸锂）从而导致表面扩散系数发生改变进行了理论分析。讨论了质子交换和退火工艺的原理及制作技术，利用常用工程解法对质子交换深度和交换时间等诸多因素影响下得到的结果进行了比较，提出先进行质子交换，期间加入少量苯甲酸锂，然后在一定条件的退火，这样可以缩短节省制作周期，得出生成α相波导的最佳工作条件。最后通过大量的试验和实际工艺制作，验证了前面的理论分析，得到了可工作的光波导片。然后进行精密光学测试，得到实验数据。最后通过讨论这些实验数据，得出Y分支波导的主要性能指标。
符运良,何猛雄,袁一方[8]（2006）在《质子交换LiNbO3光波导的特性研究》文中研究说明采用X射线衍射谱法和红外吸收光谱法对质子交换和退火质子交换LiNbO3光波导的特性进行了研究。研究结果表明:在LiNbO3晶体衬底X射线衍射主峰的左侧出现质子交换LiNbO3光波导的伴峰,则质子交换使光波导层Li1-xHxNbO3的晶格常数比衬底的晶格常数稍大,产生垂直于表面的应变,波导经过退火后,伴峰向主峰靠近,应变减少。质子交换波导中的OH-基团的红外吸收光谱在3 500和3 300 cm-1处存在特征峰,波导经过退火后,3 300 cm-1处的特征峰基本消失,而3 500 cm-1处的吸收强度基本不变。实验还表明,OH-在3 500 cm-1处吸收带的积分面积基本与交换时间的开方呈正比例关系。
张谦述,刘永智,杨亚培,戴基智[9]（2006）在《质子交换LiNbO3波导表面裂纹的研究》文中进行了进一步梳理为了研究x切铌酸锂波导表面裂纹的产生机理及对波导性能的影响,采用对比实验、波导表面观察、XRD晶相分析、红外吸收谱分析等方法,比较了退火后波导的微观结构、表面情况、波导中H+存在形式和浓度变化特征。结果表明,质子交换铌酸锂波导表面裂纹是波导层应力顺晶体主解理面释放而产生的,具有4个特点:裂纹是交换过程造成的,裂纹间相互平行,裂纹程度与交换时间成正比,退火工艺对裂纹程度有所改善;裂纹是波导层应力大小的宏观体现;退火工艺可以调整波导层中H+的存在形式及其浓度,调整波导层晶相和应力大小,从而改善波导性能。可见纯质子交换波导层中多相并存,各晶相晶格常数差异较大造成应力,导致裂纹产生。提出α相波导的晶格变形小,引起的应力也小,可以减少裂纹产生,有助于提高波导质量。
罗辉[10]（2006）在《铌酸锂相位调制器关键技术的研究》文中研究指明铌酸锂相位调制器已经广泛应用于光纤通信、光纤传感等众多领域,而在器件的生产过程中,波导制作、V型槽制作、器件耦合封装及可靠性等几项关键技术对器件整体性能的提高至关重要。本文首先简单介绍了电光调制器的原理,阐述了铌酸锂相位调制器中波导制作、V型槽制作、器件封装耦合及可靠性等几项关键技术的研究意义,综述了其研究、发展现状。在分析了铌酸锂晶体的相关特性、电光相位调制的基本原理以及单模光纤和光波导的对接耦合以后,研究了单模铌酸锂条形波导和铌酸锂V型槽的制作工艺,提出了使用铌酸锂V型槽实现单模光纤与波导耦合的方案。实验方面,利用实验室现有条件,在铌酸锂晶片上以苯甲酸为质子源,用液相质子交换法制作了条形波导;对用质子交换法实现铌酸锂晶体畴反转进行了一系列实验研究,在此基础上提出了质子交换法实现铌酸锂晶体畴反转的工艺过程,实现了畴反转并腐蚀得到了V型槽;设计制作了带尾纤的电光相位调制器,最后进行封装。对实验过程中发现的问题进行了分析提出了解决的方案。在实验室现有条件下对器件的插入损耗及稳定性进行了测试,并对结果进行了分析。在整个设计、制作过程中应用可靠性工程的技术方法,分析可能的失效因素,在理论上提出了改进的方法,为最终实现器件的可靠性增长及器件的实用化打下了基础。
二、The Characterisitic of Proton-Exchanged LiNbO_3 Waveguide Formed by Different Proton Source（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、The Characterisitic of Proton-Exchanged LiNbO_3 Waveguide Formed by Different Proton Source（论文提纲范文）
（1）缓冲质子交换近化学计量比LiNbO3光波导的制备与表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 集成光学的研究进展 |
| 1.2 集成光学器件材料的选取 |
| 1.3 铌酸锂的基本特征和主要应用 |
| 1.3.1 同成分铌酸锂晶体 |
| 1.3.2 近化学计量比铌酸锂晶体 |
| 1.3.3 铌酸锂晶体性质及应用 |
| 1.4 铌酸锂光波导的制备工艺 |
| 1.4.1 钛扩散法 |
| 1.4.2 质子交换法 |
| 1.5 本论文的主要工作与意义 |
| 第2章 光波导理论介绍 |
| 2.1 光波导的结构类型 |
| 2.1.1 平面光波导 |
| 2.1.2 通道型光波导 |
| 2.1.3 圆柱型光波导 |
| 2.2 麦克斯韦方程组 |
| 2.3 波动光学 |
| 2.4 平面波导的线光学理论 |
| 2.4.1 光线在介质交界面的反射和折射 |
| 2.4.2 光线在平面光波导中的传播 |
| 2.4.3 平面型光波导的导模 |
| 2.5 条形介质光波导 |
| 第3章 缓冲质子交换铌酸锂平面光波导扩散特征和腐蚀的研究 |
| 3.1 近化学计量比铌酸锂晶体 |
| 3.2 制备近化学计量比铌酸锂晶体的方法 |
| 3.2.1 制备的过程 |
| 3.2.2 用VTE法制备铌酸锂晶体的优势 |
| 3.3 平面波导样品的制备 |
| 3.3.1 缓冲质子交换 |
| 3.3.2 不同浓度质子交换过程 |
| 3.4 平面波导样品的测量 |
| 3.4.1 棱镜耦合法测量光波导有效折射率 |
| 3.4.2 IWKB法拟合 |
| 3.5 缓冲质子交换过程的扩散特征 |
| 3.5.1 折射率分布 |
| 3.5.2 扩散系数 |
| 3.5.3 两种组分晶体中扩散特征的对比 |
| 3.6 缓冲质子交换过程的扩散机制 |
| 3.7 质子交换铌酸锂的腐蚀 |
| 第4章 缓冲质子交换近化学计量比铌酸锂条波导的制备与表征 |
| 4.1 条波导的制备 |
| 4.1.1 传统的制备工艺流程 |
| 4.1.2 制备工艺的改进 |
| 4.1.3 具体的制备过程 |
| 4.2 条波导的表征 |
| 4.2.1 条波导表面形貌的表征 |
| 4.2.2 波导近场模式 |
| 4.2.3 波导传输损耗 |
| 第5章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（2）缓冲质子源LiNbO3波导折射率计算及实验（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 退火质子交换工艺过程 |
| 2 退火质子交换波导模型 |
| 3 仿真结果及验证 |
| 4 结论 |
（3）硬脂酸高温质子交换α相铌酸锂光波导的制备技术研究（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1高温质子交换的基本原理 |
| 2实验和结果 |
| 3结论 |
（4）硬脂酸质子交换X切LiNbO3光波导的制备技术研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 平板光波导的制备与测试 |
| 2 单模条形光波导的制备与测试 |
| 3 结论 |
（5）高温质子交换铌酸锂波导制备工艺研究（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 质子交换LiNbO3波导的晶相 |
| 2 高温质子交换铌酸锂波导样品的制备和测试 |
| 3 结 论 |
（6）质子交换在铌酸锂和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成光波导（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 2 结果和讨论 |
| 2.1 质子交换LiNbO3光波导, 633 nm波长下的?ne、导模的有效折射率和波导深度 |
| 2.2 质子交换LiNbO3光波导, 1539 nm波长下导模的有效折射率和?ne |
| 2.3 质子交换LiNbO3光波导的折射率分布 (λ=633 nm) |
| 2.4 质子交换LiNbO3光波导的扩散特性 |
| 2.5 质子交换LiNbO3光波导的退火特性 |
| 2.6 质子交换LiNbO3光波导的传输损耗、近场光强分布 |
| 2.7 质子交换铌酸锂光波导的卢瑟福背散射/沟道谱 |
| 3 结论 |
（7）光纤陀螺用Y分支光波导的质子交换及退火研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 简缩字表 |
| 第一章 引言 |
| 1.1 集成光学简介 |
| 1.2 退火质子交换工艺的国内外研究现状 |
| 1.3 集成光学器件在光纤陀螺中的应用 |
| 1.4 本课题的目的和所做的工作 |
| 第二章 光纤陀螺用Y分支波导的设计和优化 |
| 2.1 光纤陀螺的基本原理 |
| 2.2 Y分支波导原理分析 |
| 2.3 Y分支波导优化设计 |
| 2.3.1 理论分析 |
| 2.3.2 Y分支的BPM仿真 |
| 第三章 退火质子交换理论分析 |
| 3.1 扩散反应动力学 |
| 3.1.1 扩散机制 |
| 3.1.2 扩散系数 |
| 3.1.3 影响扩散系数的因素 |
| 3.2 铌酸锂的晶体结构 |
| 3.2.1 氢离子在铌酸锂晶格中的占位 |
| 3.2.2 Li_(1-x)H_xNbO_3晶相特性 |
| 3.2.3 质子交换及退火理论模型 |
| 3.2.4 退火质子交换LiNbO3光波导的物理机制和传输损耗 |
| 3.2.5 α相波导 |
| 第四章 质子交换及退火工艺 |
| 4.1 质子交换及退火 |
| 4.1.1 质子交换概述 |
| 4.1.2 质子交换(PE)波导 |
| 4.1.3 退火质子交换(APE)波导 |
| 4.1.4 缓冲质子交换波导 |
| 4.2 Y分支波导制作过程 |
| 4.3 器件的测试 |
| 4.3.1 Y分支光学指标检测原理 |
| 4.3.2 Y分支波导测试现象和结果 |
| 第五章 全文总结及展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 个人简历 |
（8）质子交换LiNbO3光波导的特性研究（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 实 验 |
| 2 实验结果与讨论 |
| 2.1 质子交换与退火质子交换光波导的X射线衍射谱 |
| 2.2 质子交换和退火质子交换LiNbO3光波导的红外吸收光谱 |
| 3 结 论 |
（9）质子交换LiNbO3波导表面裂纹的研究（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 纯苯甲酸质子交换LiNbO3晶体表面出现裂纹现象 |
| 2 裂纹产生的原因分析 |
| 2.1 质子交换LiNbO3波导的微观结构 |
| 2.1.1 多种晶相 |
| 2.1.2 多晶相并存 |
| (1) 当0≤x≤0.12时, 只出现一个晶相, 即α相。 |
| (2) 随着x增大, 出现其它晶相。 |
| 2.1.3 α相波导特点 |
| 2.2 x切y传LiNbO3衬底及质子交换平板波导的XRD衍射图分析 |
| (1) 衍射主峰对应的是晶体 (110) 晶面。 |
| (2) 波导层多晶相共存, 不同晶相晶格常数差异较大。 |
| (3) 退火使波导层相变而达到α相。 |
| 2.3 LiNbO3晶体结构与宏观物理坐标系的关系 |
| 2.3.1 晶轴取向 |
| 2.3.2 介电 (折射率椭球) 主轴坐标系统与晶轴坐标系统间的关系 |
| 2.3.3 LiNbO3晶片切向与介电主轴和晶轴的关系 |
| 2.3.4 LiNbO3晶体的主解理面 |
| 2.4 质子交换LiNbO3晶体表面裂纹产生的原因 |
| 3 退火工艺对波导特性的影响 |
| 3.1 实验 |
| 3.2 实验结果分析 |
| 4 结 论 |
（10）铌酸锂相位调制器关键技术的研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 铌酸锂电光调制器研究进展 |
| 1.3 本论文的任务 |
| 第二章 电光相位调制器的基础理论 |
| 2.1 铌酸锂晶体特性 |
| 2.1.1 铌酸锂的晶体结构 |
| 2.1.2 铌酸锂晶体的基本热学性质 |
| 2.2 电光相位调制的基本原理 |
| 2.3 单模光纤和光波导的耦合 |
| 2.3.1 单模光纤的模场分布 |
| 2.3.2 单模条形波导的传播模式 |
| 2.3.3 光纤和波导的耦合 |
| 2.4 器件可靠性理论 |
| 2.4.1 芯片剪切强度的可靠性 |
| 2.4.2 气密性的可靠性 |
| 2.4.3 内部水汽含量可靠性 |
| 2.4.4 ESD（静电放电）的可靠性 |
| 第三章 铌酸锂相位调制器的设计与制作 |
| 3.1 质子交换法 |
| 3.1.1 质子交换法概述 |
| 3.1.2 质子交换基本理论 |
| 3.1.3 质子交换LiNbO_3晶体波导的结构 |
| 3.1.4 退火工艺对铌酸锂波导性能的影响 |
| 3.2 铌酸锂条形波导的制作 |
| 3.2.1 单模铌酸锂条形波导的设计 |
| 3.2.2 质子交换铌酸锂条形波导的制作 |
| 3.3 铌酸锂V 型槽的制作工艺 |
| 3.3.1 铌酸锂晶体畴反转的实现方法 |
| 3.3.2 用质子交换法实现铌酸锂晶体的畴反转 |
| 3.3.3 铌酸锂V 型槽的制作 |
| 3.4 光纤和波导的耦合封装 |
| 3.4.1 光纤和波导耦合 |
| 3.4.2 铌酸锂相位调制器的封装 |
| 第四章 器件性能测试 |
| 4.1 光波导损耗的测量 |
| 4.1.1 光波导的损耗 |
| 4.1.2 光波导损耗的测量 |
| 4.2 器件部分性能测试 |
| 4.2.1 室温下器件的插入损耗 |
| 4.2.2 高、低温下器件的稳定性 |
| 4.3 小结 |
| 第五章 器件可靠性分析 |
| 5.1 器件失效机理分析 |
| 5.2 提高器件可靠性的措施 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及硕士在读期间发表的论文 |
| 致谢 |
| 附录 |
四、The Characterisitic of Proton-Exchanged LiNbO_3 Waveguide Formed by Different Proton Source（论文参考文献）
- [1]缓冲质子交换近化学计量比LiNbO3光波导的制备与表征[D]. 徐庆东. 天津大学, 2019(01)
- [2]缓冲质子源LiNbO3波导折射率计算及实验[J]. 王健,余才佳,纪引虎,熊恒,闫鑫. 半导体光电, 2017(04)
- [3]硬脂酸高温质子交换α相铌酸锂光波导的制备技术研究[J]. 汪昌君,陈抱雪,方锦辉,陈子维. 光学仪器, 2015(05)
- [4]硬脂酸质子交换X切LiNbO3光波导的制备技术研究[J]. 陈硕,刘占元,刘鹏飞,陈开鑫. 半导体光电, 2014(01)
- [5]高温质子交换铌酸锂波导制备工艺研究[J]. 王腾飞,陈抱雪. 光学仪器, 2013(04)
- [6]质子交换在铌酸锂和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成光波导[J]. 李士玲. 中国科学（G辑:物理学 力学 天文学）, 2008(08)
- [7]光纤陀螺用Y分支光波导的质子交换及退火研究[D]. 王帆. 电子科技大学, 2008(05)
- [8]质子交换LiNbO3光波导的特性研究[J]. 符运良,何猛雄,袁一方. 光谱学与光谱分析, 2006(12)
- [9]质子交换LiNbO3波导表面裂纹的研究[J]. 张谦述,刘永智,杨亚培,戴基智. 激光技术, 2006(04)
- [10]铌酸锂相位调制器关键技术的研究[D]. 罗辉. 电子科技大学, 2006(12)